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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于靶区自适应的时间相干电刺激调控方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120215713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510340847.2，技术领域涉及：G06F3/01；该发明授权一种基于靶区自适应的时间相干电刺激调控方法及装置是由宋西姊;刘涛;朱文清;刘秀云;刘爽;明东设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于靶区自适应的时间相干电刺激调控方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于靶区自适应的时间相干电刺激调控方法：获取用户影像信息并根据影像信息构建颅脑神经三维模型；在颅脑神经三维模型中添加模拟电极，并配置模拟电极的刺激属性；获取靶区位置信息，并通过预先构建的映射矩阵将靶区映射至颅脑神经三维模型中；根据预设的体积计算算法计算靶区体积，并根据靶区体积从预先构建的布局映射库中获取对应的电极布局指令，根据电极布局指令将模拟电极配置于对应的颅脑神经三维模型中；通过预设的参数适应子策略配置对应的最优刺激参数以使颅脑神经三维模型中包络调制电场与靶区区域匹配。能够自适应调整TI电刺激刺激参数，解决现有TI电刺激刺激参数设置困难的问题。

本发明授权一种基于靶区自适应的时间相干电刺激调控方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于靶区自适应的时间相干电刺激调控方法，其特征在于： 步骤S1、获取用户影像信息，并根据影像信息构建颅脑神经三维模型； 步骤S2、在颅脑神经三维模型中添加模拟电极，并配置模拟电极的刺激属性； 步骤S3、获取靶区位置信息，并通过预先构建的映射矩阵将靶区映射至颅脑神经三维模型中； 步骤S4、根据预设的体积计算算法计算靶区体积，并根据靶区体积从预先构建的布局映射库中获取对应的电极布局指令，根据电极布局指令将模拟电极配置于对应的颅脑神经三维模型中； 步骤S5、通过预设的参数适应子策略配置对应的最优刺激参数以使颅脑神经三维模型中包络调制电场与靶区区域匹配，所述参数适应子策略包括： 步骤S5-1、获取新的刺激频率值和刺激强度值于模拟电极中输出； 步骤S5-2、通过预设的包络体积计算算法计算对应的包络总体积，通过预设的包络中心坐标计算算法计算对应的包络中心坐标；其中，所述包络体积计算算法包括：计算颅脑神经三维模型在当前模拟电极作用下的调制包络振幅，将颅脑神经三维模型对应的空间离散化以获得若干个体素，根据调制包络振幅计算每个体素的体素信号值，筛选体素信号值高于预设的基准体素阈值的体素并计算筛选得到的体素的总体积以获得所述包络总体积； 步骤S5-3、计算包络总体积与靶区体积的体积偏差以及包络中心坐标与靶区中心坐标的中心坐标偏差，若体积偏差小于预设的基准体积值，中心坐标偏差小于预设的基准中心坐标偏差值，则进入步骤S5-4，否则返回步骤S5-1； 步骤S5-4、输出当前的刺激频率值和刺激强度值作为最优刺激参数。

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