北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴)杨继亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴)申请的专利硅基晶体管沟道温度的测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120213259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510420227.X，技术领域涉及：G01K11/00；该发明授权硅基晶体管沟道温度的测量装置及方法是由杨继亮;王家卫;彭礼超;赵云坤;徐可米设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基晶体管沟道温度的测量装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅基晶体管沟道温度的测量装置及方法，涉及温度测量技术领域，该测量装置包括：超导线圈，用于为晶体管提供磁场，以形成两个自旋态能级；低温恒温器，用于为晶体管提供低温环境，在低温环境下，两个自旋态能级上的粒子布居数的第一比值满足与沟道的温度值相关的玻尔兹曼分布；可调谐激光模块，用于生成近红外波段的第一激光；电流处理模块，用于采集隧穿电流；处理器，用于确定光电离信号强度；基于光电离信号强度，确定两个自旋态能级上发生光电离事件的概率的第二比值；基于第二比值，确定第一比值；根据玻尔兹曼分布和第一比值，得到沟道的温度值。
本发明授权硅基晶体管沟道温度的测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基晶体管沟道温度的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括： 超导线圈，用于为晶体管提供磁场，以使得所述晶体管的沟道内的自旋缺陷发生自旋能级劈裂，形成两个自旋态能级； 低温恒温器，用于为所述晶体管提供低温环境，其中，在所述低温环境下，所述两个自旋态能级上的粒子布居数的第一比值满足与所述沟道的温度值相关的玻尔兹曼分布； 可调谐激光模块，用于生成近红外波段的第一激光； 电流处理模块，用于采集在所述第一激光入射所述沟道的情况下所述晶体管产生的隧穿电流； 处理器，用于记录在处于微波调频阶段的第一激光的作用下，单位时间内所述隧穿电流的跳变次数，确定光电离信号强度；基于所述光电离信号强度，确定所述两个自旋态能级上发生光电离事件的概率的第二比值；基于所述第二比值，确定所述第一比值；根据所述玻尔兹曼分布和所述第一比值，得到所述沟道的温度值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学;北京理工大学长三角研究院(嘉兴)，其通讯地址为：100081 北京市海淀区中关村南大街5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励