北京北方华创微电子装备有限公司刘鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利射频源装置及其阻抗匹配方法、半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120164771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311733578.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权射频源装置及其阻抗匹配方法、半导体工艺设备是由刘鹏飞;杨京;郝慧超设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频源装置及其阻抗匹配方法、半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种射频源装置，应用于半导体工艺设备，包括第一射频单元、第二射频单元和控制器，第一射频单元和第二射频单元用于向半导体工艺设备的工艺腔室加载射频功率信号，射频功率信号为在每个周期内具有多个阶段的脉冲信号；控制器用于在各阶段控制第一射频单元和第二射频单元进行阻抗匹配，且使第一射频单元在各阶段采用的阻抗匹配模式与第二射频单元在对应的阶段采用的阻抗匹配模式不同。本方案可以解决现有技术中在两个射频电源同时采用扫频匹配或者在两个匹配器同时采用匹配器匹配的方式进行阻抗匹配时，存在相互干扰，导致反射功率较高的问题。
本发明授权射频源装置及其阻抗匹配方法、半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种射频源装置，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括第一射频单元、第二射频单元和控制器，所述第一射频单元和所述第二射频单元用于向所述半导体工艺设备的工艺腔室加载射频功率信号，所述射频功率信号为在每个周期内具有多个阶段的脉冲信号； 所述控制器用于在各所述阶段控制所述第一射频单元和所述第二射频单元进行阻抗匹配，且使所述第一射频单元在各所述阶段采用的阻抗匹配模式与所述第二射频单元在对应的所述阶段采用的阻抗匹配模式不同，所述阻抗匹配模式包括扫频匹配模式和匹配器匹配模式。
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