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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120163110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195009.0，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法是由郭可欣;徐长卿;刘毅;孟凡鑫;廖进福设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法、装置、介质和设备，通过获取不同放大倍数的垂直NPN型晶体管模型，对各垂直NPN型晶体管模型施加预设强度范围和步长的静磁场，得到不同磁场环境下各垂直NPN型晶体管模型的集电极电流下降程度表达式；基于集电极电流下降程度表达式获取不同磁场环境下各垂直NPN型晶体管模型的集电极电流随磁场变化的输出特性曲线；基于输出特性曲线拟合集电极电流与静磁场的函数关系，计算对应的拟合参数；利用拟合得到的函数表达式评估各垂直NPN型晶体管模型抗磁干扰能力，准确评估外部静磁场对VNPN晶体管性能的影响，并为抗磁干扰设计提供可靠的技术支持。

本发明授权一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法在权利要求书中公布了：1.一种VNPN晶体管的抗磁干扰能力评估方法，其特征在于，包括： 获取不同放大倍数的垂直NPN型晶体管模型，其中，各所述垂直NPN型晶体管模型的衬底、集电极、埋层和深阱均通过不同浓度的材料进行掺杂得到； 对各所述垂直NPN型晶体管模型施加预设强度范围和步长的静磁场，得到不同磁场环境下各所述垂直NPN型晶体管模型的集电极电流下降程度表达式； 基于所述集电极电流下降程度表达式获取不同磁场环境下各所述垂直NPN型晶体管模型的集电极电流下降程度值与所述静磁场的输出特性曲线； 基于所述输出特性曲线拟合各所述垂直NPN型晶体管模型的集电极电流与所述静磁场的磁场影响因子； 基于磁场影响因子计算所述静磁场对各所述垂直NPN型晶体管模型的跨导和放大倍数，基于所述跨导和所述放大倍数评估各所述垂直NPN型晶体管模型抗磁干扰能力； 对各所述垂直NPN型晶体管模型施加方向相反且步进设置的静磁场，且设置基极电流的值为预设值，对应得到集电极电流随静磁场变化的输出特性曲线； 基于所述输出特性曲线确定对应的集电极电流下降程度表达式，所述集电极电流下降程度表达式为： 其中，0为无磁场时，B等于10uA时的大小；B为添加磁场时，B等于10uA时的大小。

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