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龙图腾网获悉江西欣荣锂电材料有限公司申请的专利石墨块材表面制备碳化硅涂层的方法及复合材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120157515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510500988.6，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权石墨块材表面制备碳化硅涂层的方法及复合材料是由周宪聪;吴玉祥;温靖彦;阙志豪设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本石墨块材表面制备碳化硅涂层的方法及复合材料在说明书摘要公布了：本申请公开了一种石墨块材表面制备碳化硅涂层的方法及复合材料，通过界面活化预处理与梯度过渡层设计相结合的递进式界面优化体系，解决了传统双层碳化硅涂层界面处存在缺陷、容易剥离或开裂的技术问题。该方法包括：使用金属硅颗粒与石墨块材在真空环境下进行硅蒸气反应形成初始碳化硅层；对初始碳化硅层进行等离子体刻蚀和活化处理；采用化学计量比梯度、掺杂元素梯度和结构梯度三个维度的梯度过渡层设计进行CVD沉积。本方法制备的碳化硅涂层在高温循环条件下表现出优异的热稳定性和界面结合强度，特别适用于需要长期在极端温度和热冲击环境下工作的高端应用场景。

本发明授权石墨块材表面制备碳化硅涂层的方法及复合材料在权利要求书中公布了：1.一种石墨块材表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，包括： 使用金属硅颗粒与石墨块材，在真空环境下进行硅蒸气反应，得到具有初始碳化硅层的石墨块材； 将所述具有初始碳化硅层的石墨块材置于等离子体处理腔室中，经由氩气等离子体实施表面刻蚀，并采用氢气和氮气的混合气体实施表面活化处理，得到活化处理后的石墨块材； 使用所述活化处理后的石墨块材，经由三氯甲基硅烷与甲烷气体按照预设比例进行CVD沉积，得到CVD沉积后的石墨块材； 对所述CVD沉积后的石墨块材实施三氯化硼浓度梯度掺杂的CVD沉积，得到掺杂的石墨块材，包括：引入浓度为0.5-1%的三氯化硼气体与反应气体混合，对CVD沉积后的石墨块材进行沉积，得到第一掺杂层； 对所述第一掺杂层引入浓度为0.2-0.3%的三氯化硼气体进行沉积，得到第二掺杂层； 对所述第二掺杂层引入浓度为0.05-0.1%的三氯化硼气体进行沉积，得到所述掺杂的石墨块材； 所述引入浓度为0.5-1%的三氯化硼气体与反应气体混合，对CVD沉积后的石墨块材进行沉积，得到第一掺杂层，包括： 将CVD炉中抽取真空至100-500Pa，得到预处理石墨块材； 对所述预处理石墨块材引入三氯化硼、三氯甲基硅烷和甲烷的混合气体，控制所述三氯化硼的浓度为0.5-1%，气体总流量为200-300mLmin，经过2小时沉积，得到所述第一掺杂层； 将所述掺杂的石墨块材按照预设温度和气体流速进行结构梯度CVD沉积，得到碳化硅涂层，包括： 将所述掺杂的石墨块材加热至1100-1150℃，调节反应气体流速至150-250mLmin，经过2-3小时沉积，得到纳米晶结构层； 对所述纳米晶结构层提升温度至1200-1300℃，调节气体流速至250-350mLmin，经过2-3小时沉积，得到微晶结构层； 对所述微晶结构层提升温度至1350-1400℃，调节气体流速至350-450mLmin，经过2-3小时沉积，得到所述碳化硅涂层； 所述将所述掺杂的石墨块材加热至1100-1150℃，调节反应气体流速至150-250mLmin，经过2-3小时沉积，得到纳米晶结构层，包括： 将所述掺杂的石墨块材以5-10℃min的升温速率加热至1100-1150℃，得到预定温度的基体； 向所述预定温度的基体通入三氯甲基硅烷和甲烷的混合气体，调控流速至150-250mLmin，经过2-3小时沉积，得到所述纳米晶结构层。

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