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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311623652.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备是由朱正勇;康卜文;黄龙;张京;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：于衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括沿垂直于衬底的方向交替叠置的多层牺牲层和多层层间介质层；其中，牺牲层包括非金属材料；刻蚀堆叠结构，以形成刻蚀槽及第一字线定义孔；刻蚀槽沿垂直于衬底的方向贯穿堆叠结构并沿第一方向延伸；第一字线定义孔位于刻蚀槽在第二方向上的旁侧并与刻蚀槽之间具有间隔。所述半导体结构的制备方法中堆叠结构中的牺牲层包括非金属牺牲层，对堆叠结构进行刻蚀所形成的刻蚀槽及第一字线定义孔具有陡直性较高的侧壁，且侧壁表面平整光滑，有利于提升半导体结构的生产良率及使用可靠性。

本发明授权半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的第一栅极与第一字线连接，所述第一晶体管的第一源漏极与第一位线连接，所述第一晶体管的第二源漏极与存储栅极连接；所述存储栅极同时作为所述第二晶体管的背栅极； 所述制备方法包括： 提供衬底；于所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替叠置的多层牺牲层和多层层间介质层；其中，所述牺牲层包括非金属材料； 刻蚀所述堆叠结构，以形成刻蚀槽及第一字线定义孔；所述刻蚀槽沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构并沿第一方向延伸；所述第一字线定义孔位于所述刻蚀槽在第二方向上的旁侧并与所述刻蚀槽之间具有间隔；所述第一方向与所述第二方向相交且均平行于所述衬底； 基于所述刻蚀槽及所述第一字线定义孔横向刻蚀各所述牺牲层，以形成第一晶体管容置槽及第一位线容置槽；所述第一晶体管容置槽位于所述牺牲层的第一刻蚀区域并环绕于所述第一字线定义孔的周侧；所述第一位线容置槽位于所述牺牲层的第二刻蚀区域并位于所述第一晶体管容置槽和所述刻蚀槽之间；所述第二刻蚀区域和所述第一刻蚀区域相连通； 于所述第一晶体管容置槽背离所述第一位线容置槽的一侧形成存储栅极，包括： 形成填充所述刻蚀槽、所述第一字线定义孔、所述第一晶体管容置槽及所述第一位线容置槽的导电材料层； 去除部分所述导电材料层，以保留形成于所述第一晶体管容置槽背离所述第一位线容置槽一侧的所述导电材料层；保留的所述导电材料层作为所述存储栅极。

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