武汉敏声新技术有限公司高超获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉敏声新技术有限公司申请的专利一种薄膜体声波谐振器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120074428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510147051.5，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制备方法是由高超;丁志鹏;蔡耀;代金豪;李俊楠;谢亚东;孙成亮;国世上设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，薄膜体声波谐振器包括：衬底、换能器堆叠结构、温度补偿层和第一凸起结构；换能器堆叠结构位于衬底一侧；温度补偿层和第一凸起结构位于换能器堆叠结构内部且第一凸起结构位于温度补偿层远离衬底一侧；换能器堆叠结构包括工作区域；沿薄膜体声波谐振器厚度方向，温度补偿层在衬底所在平面的投影覆盖工作区域在衬底所在平面的投影；工作区域在衬底所在平面的投影覆盖第一凸起结构在衬底所在平面的投影且第一凸起结构与温度补偿层的侧面连接。本发明的技术方案，在减少薄膜体声波谐振器频率温度漂移的同时提高薄膜体声波谐振器的Q值。
本发明授权一种薄膜体声波谐振器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、换能器堆叠结构、温度补偿层和第一凸起结构； 所述换能器堆叠结构位于所述衬底一侧； 所述温度补偿层和所述第一凸起结构位于所述换能器堆叠结构内部且所述第一凸起结构位于所述温度补偿层远离所述衬底一侧，用于在所述换能器堆叠结构远离所述衬底一侧表面形成第一凸起；所述温度补偿层的温度-弹性系数大于零，所述换能器堆叠结构的温度-弹性系数小于零； 所述换能器堆叠结构包括工作区域；沿薄膜体声波谐振器厚度方向，所述温度补偿层在所述衬底所在平面的投影覆盖所述工作区域在所述衬底所在平面的投影；所述工作区域在所述衬底所在平面的投影覆盖所述第一凸起结构在所述衬底所在平面的投影且所述第一凸起结构与所述温度补偿层的侧面连接。
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