山东浪潮华光光电子股份有限公司彭璐获国家专利权
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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种降低翘曲的LED晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510231193.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种降低翘曲的LED晶圆键合方法是由彭璐;王彦丽;吴向龙;徐盼盼设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低翘曲的LED晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种降低翘曲的LED晶圆键合方法，步骤为：1外延片P型层粗化；2在表面制备薄膜；3制作金属层；4在基板表面涂敷光刻胶；5对基板蒸镀金属材料；6去除光刻胶；7在基板上制作氧化硅；8对氧化硅表面使用CMP进行平坦化，露出金属材料；9将外延片与基板进行键合；10去除外延片的GaAs衬底、腐蚀截止层；11去除部分N型欧姆接触层，并进行粗化处理；12将当前外延层刻蚀穿透，并去除步骤2中的薄膜，形成切割道；13在N型欧姆接触层区域制作N电极，沿切割道进行切割，获得独立的芯片。本发明降低了接触面积，在满足使用的基础上，优化键合接触面积，降低应力。
本发明授权一种降低翘曲的LED晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种降低翘曲的LED晶圆键合方法，其特征在于，步骤如下： 1将外延片的P型层粗化； 2在粗化后的P型层表面，制备薄膜； 3在薄膜表面制作金属层； 4在基板表面涂敷光刻胶，形成周期性光刻胶图形； 5对完成图形的基板蒸镀金属材料； 6利用liftoff工艺去除光刻胶，完成周期性金属图形制作； 7在带金属图形的基板上制作氧化硅； 8对氧化硅表面使用CMP进行平坦化，露出金属材料，并对金属材料减薄； 9将步骤3的外延片P面与步骤8的基板金属侧进行键合； 10去除外延片的GaAs衬底、腐蚀截止层； 11去除部分N型欧姆接触层，对欧姆接触层去除部分进行粗化处理； 12将当前外延层刻蚀穿透，并去除步骤2中的薄膜，形成切割道； 13在N型欧姆接触层区域制作N电极； 14按照步骤12形成的切割道进行切割，获得独立的芯片。
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