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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311557151.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由冯红磊设计研发完成，并于2023-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括由下至上依次叠置的第一介质层及导电层；于叠层结构裸露的表面形成连续分布的第二介质层，并采用牺牲层对叠层结构的间隙区域进行填充；于叠层结构内形成贯穿各层沟道区域的第一沟槽；于第一沟槽的内壁依次沉积沟道材料层、隔离介质材料层及栅极导电层，栅极导电层填满第一沟槽；于沟道区域沿第一方向相对的两侧的间隙区域内形成贯穿牺牲层的第二沟槽；去除位于第二沟槽侧壁的牺牲层，并去除与牺牲层相接触的沟道材料层以及对应的隔离介质材料层。采用本发明的半导体结构的制备方法能够解决寄生MOS的问题。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括由下至上依次叠置的第一介质层及导电层，各层所述导电层包括：沿第一方向延伸的主体部以及多个沿所述第一方向间隔排布的延伸部，各所述延伸部均位于所述主体部相对的两侧，所述主体部与各所述延伸部一体连接，所述延伸部与所述主体部相连接的部分作为沟道区域；其中，所述延伸部沿所述第一方向的宽度大于位于所述延伸部之间的所述第一介质层沿所述第一方向的宽度； 于所述叠层结构裸露的表面形成连续分布的第二介质层，并采用牺牲层对所述叠层结构的间隙区域进行填充； 于所述叠层结构内形成贯穿各层所述沟道区域的第一沟槽，以去除位于所述沟道区域的所述第一介质层和所述导电层，以及去除位于所述第一介质层沿所述第一方向相对的两侧侧面的部分所述第二介质层，并保留位于所述延伸部沿所述第一方向相对的两侧侧面的部分所述第二介质层；其中，所述第一沟槽沿所述第一方向相对的两侧侧壁露出依次交替叠置的所述牺牲层和所述第二介质层，且各层所述牺牲层的位置与各层所述第一介质层的位置相对应，各层所述第二介质层的位置与各层所述导电层的位置相对应； 于所述第一沟槽的内壁依次沉积沟道材料层、隔离介质材料层及栅极导电层，所述栅极导电层填满所述第一沟槽； 于所述沟道区域沿所述第一方向相对的两侧的所述间隙区域内形成贯穿所述牺牲层的第二沟槽，所述第二沟槽沿所述第一方向相对的两侧侧壁露出依次交替叠置的所述牺牲层以及所述第二介质层； 去除位于所述第二沟槽侧壁的所述牺牲层，并去除与所述牺牲层相接触的所述沟道材料层以及对应的隔离介质材料层，采用填充层对所述第二沟槽进行填充，以得到环绕所述栅极导电层侧壁且与所述第二介质层相接触的隔离介质层以及沟道层，所述隔离介质层及所述沟道层均位于所述栅极导电层与所述导电层之间。

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