买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种四元反极性红光管芯N电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510207443.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种四元反极性红光管芯N电极的制备方法是由吴金凤;李晓明;沈龙梅设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种四元反极性红光管芯N电极的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供的一种四元反极性红光管芯N电极的制备方法涉及光电子技术领域。该方法通过先将键合完成的四元反极性红光LED外延片的衬底、阻挡层全部腐蚀去除，再在表面蒸镀薄NiGeAu膜作为N型欧姆接触电极。然后利用NiGeAu膜的特性，先通过高温退火使得薄NiGeAu膜与薄GaAs层充分融合并渗透至N型AlGaInP层，再通过常温Au腐蚀液腐蚀掉薄NiGeAu膜和薄GaAs层，在不去除正性光刻胶的情况涂负性光刻胶形成N电极图形，再依次蒸镀厚NiGeAu膜、厚Au膜，通过蓝膜将N面电极外的多余的Au膜去除，得到四元反极性红光管芯N电极，避免了四元反极性红光管芯N电极图形不稳定的问题，提升了芯片的品质。

本发明授权一种四元反极性红光管芯N电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种四元反极性红光管芯N电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤， S1，在反极性AlGaInP四元LED外延片的P型AlGaInP层16上依次制备P型欧姆接触层21和电流阻挡层22，然后再键合到新衬底层23上，得到倒装AlGaInP四元红光LED外延片； S2，腐蚀掉步骤S1所得到的倒装AlGaInP四元红光LED外延片的GaAs衬底11和阻挡层GaInP12，从而露出重掺GaAs层13； S3，在露出的薄GaAs层上蒸镀薄NiAuGeAu膜31； S4，高温退火，从而使得薄NiAuGeAu膜31与重掺GaAs层13充分融合，并渗透至N型AlGaInP层14； S5，在薄NiAuGeAu膜31表面涂一次光刻胶41，并进行一次光刻得到一次光刻图形； S6，腐蚀掉一次光刻图形中腐蚀区域内的薄NiAuGeAu膜31、重掺GaAs层13和渗透至N型AlGaInP层14的NiAuGeAu，并在所述的N型AlGaInP层14上形成粗糙面141； S7，在粗糙面141涂二次光刻胶42，并进行二次光刻； S8，依次蒸镀厚NiAuGeAu膜32和厚Au膜33，并去除多余的厚NiAuGeAu膜32和厚Au膜33。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东浪潮华光光电子股份有限公司，其通讯地址为：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。