北京北方华创微电子装备有限公司祁志浩获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利匀流结构及半导体工艺设备的工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311485084.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权匀流结构及半导体工艺设备的工艺腔室是由祁志浩设计研发完成，并于2023-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本匀流结构及半导体工艺设备的工艺腔室在说明书摘要公布了：本申请公开了一种匀流结构及半导体工艺设备的工艺腔室，涉及半导体领域。一种匀流结构，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，匀流结构包括：第一匀流件、多个遮挡件和多个弹性件；第一匀流件设有沿匀流结构的中心至边缘分布的多圈第一气孔；多个遮挡件沿匀流结构的中心至边缘分布，并分别位于第一匀流件出气口的一侧，每个遮挡件与至少一圈第一气孔对应设置，并在匀流结构的轴向上可靠近或远离第一匀流件；每个遮挡件与至少一个弹性件连接，弹性件用于使遮挡件具有靠近第一匀流件的运动趋势。一种半导体工艺设备的工艺腔室包括上述匀流结构。本申请至少能够解决晶圆表面的流场在径向上存在明显差异等问题。
本发明授权匀流结构及半导体工艺设备的工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种匀流结构，应用于半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，所述匀流结构100包括：第一匀流件110、多个遮挡件130和多个弹性件140； 所述第一匀流件110设有沿所述匀流结构100的中心至边缘分布的多圈第一气孔111； 多个所述遮挡件130沿所述匀流结构100的中心至边缘分布，并分别位于所述第一匀流件110出气口的一侧，每个所述遮挡件130与至少一圈所述第一气孔111对应设置，并在所述匀流结构100的轴向上可靠近或远离所述第一匀流件110； 每个所述遮挡件130与至少一个所述弹性件140连接，所述弹性件140用于使所述遮挡件130具有靠近所述第一匀流件110的运动趋势。
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