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龙图腾网获悉宏茂微电子(上海)有限公司申请的专利一种关于晶圆背面减薄加工损伤层的评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411984115.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种关于晶圆背面减薄加工损伤层的评估方法是由陈之文;邵滋人;付永朝设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种关于晶圆背面减薄加工损伤层的评估方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体地说是一种关于晶圆背面减薄加工损伤层的评估方法。包括如下步骤：S1，在晶圆的每颗芯片表面形成若干阵列分布的PN结；PN结包括N型well、P型well，芯片衬底上分别设有N型well，P型well，并且P型well位于N型well内；芯片衬底上设有电源接头端子一，N型well上设有电源接头端子二，P型well上设有电源接头端子三；S2，对芯片进行减薄；S3，在电源接头端子一与电源接头端子二之间接上反向电压，测量漏电流的变化曲线；S4，通过漏电流曲线，分析晶圆损伤层的情况。同现有技术相比，设计了一种带有简单PN结结构的晶圆。当研磨加工损伤影响到晶圆中PN结的耗尽层时会发生漏电流，通过测试漏电流来评估整个晶圆中的损伤层的情况。

本发明授权一种关于晶圆背面减薄加工损伤层的评估方法在权利要求书中公布了：1.一种关于晶圆背面减薄加工损伤层的评估方法，其特征在于：包括如下步骤： S1，在晶圆的每颗芯片1表面形成若干阵列分布的PN结2； PN结2包括N型well2-1、P型well2-2，芯片衬底1-1上分别设有N型well2-1，P型well2-2，并且P型well2-2位于N型well2-1内； 芯片衬底1-1上设有电源接头端子一Pin1，N型well2-1上设有电源接头端子二Pin2，P型well2-2上设有电源接头端子三Pin3； S2，对芯片1进行减薄； S3，在电源接头端子一Pin1与电源接头端子二Pin2之间接上反向电压，测量漏电流的变化曲线； S4，通过漏电流曲线，分析晶圆损伤层3的情况； S5，在电源接头端子二Pin2与电源接头端子三Pin3之间接上反向电压，测量漏电流的变化曲线，通过漏电流曲线，分析晶圆损伤层3的情况。

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