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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利控温系统、工艺腔室及清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311436035.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权控温系统、工艺腔室及清洗方法是由吴俊桃;陈超设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本控温系统、工艺腔室及清洗方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种控温系统、工艺腔室及清洗方法，涉及半导体领域。一种控温系统，工艺腔室包括腔体和设于腔体内并用于承载晶圆的承载装置，控温系统设于承载装置，并包括：温度检测元件、温度调节元件和控制元件；温度检测元件用于检测调控晶圆表面温度的控温区域的实际温度，温度调节元件用于调节控温区域的温度；控制元件用于将温度检测元件检测到的控温区域的实际温度与喷洒至晶圆的清洗介质的预设工艺温度进行对比，并在实际温度与预设工艺温度的差值超出第一预设温差范围的情况下，控制温度调节元件调节控温区域的温度，以使实际温度与预设工艺温度的差值在第一预设温差范围之内。本申请至少能够解决清洗效果不佳、晶圆上温度不均等问题。

本发明授权控温系统、工艺腔室及清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面的控温系统，应用于半导体工艺设备的工艺腔室中，所述工艺腔室包括腔体和设于所述腔体内并用于承载晶圆的承载装置，其特征在于，所述控温系统设于所述承载装置，并包括：温度检测元件、温度调节元件和控制元件； 所述温度检测元件用于检测调控所述晶圆表面温度的控温区域的实际温度，所述温度调节元件用于调节所述控温区域的温度，所述控温区域划分为多个温区单元，多个所述温区单元分别用于与对所述晶圆进行工艺的多个工艺区域分别对应设置； 所述控制元件用于将所述温度检测元件检测到的所述控温区域的所述实际温度与喷洒至所述晶圆的清洗介质的预设工艺温度进行对比，并在所述实际温度与所述预设工艺温度的差值超出第一预设温差范围的情况下，控制所述温度调节元件调节所述控温区域的温度，以使所述实际温度与所述预设工艺温度的差值在所述第一预设温差范围之内； 所述控制元件还用于当在任一所述工艺区域对所述晶圆进行工艺时，按照第一控温系统参数控制调节与任一所述工艺区域对应的所述温区单元的局部温度，按照第二控温系统参数控制调节未对所述晶圆进行工艺的所述工艺区域所对应的所述温区单元的局部温度。

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