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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065543.X，技术领域涉及：H01L21/677；该发明授权半导体工艺腔室及半导体工艺设备是由郭春设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体以及设于腔室本体之内的活动内衬、固定内衬和承载装置，腔室本体设有晶片传输孔，活动内衬可升降地设于腔室本体内以在升起位置与降落位置之间切换；活动内衬和固定内衬均围绕承载装置设置，固定内衬与腔室本体围成排气孔或固定内衬设有排气孔；在活动内衬处于降落位置时，晶片传输孔与活动内衬所围绕的空间连通，以供晶片通过晶片传输孔传入至承载装置上或从承载装置通过晶片传输孔传出；在活动内衬处于升起位置时，活动内衬、腔室本体和固定内衬围成工艺空间，承载装置位于工艺空间中，工艺空间与晶片传输孔密封隔离，工艺空间与排气孔连通。

本发明授权半导体工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体10以及设于所述腔室本体10之内的活动内衬20、固定内衬30和承载装置40，所述腔室本体10设有晶片传输孔，所述活动内衬20可升降地设于所述腔室本体10内以在升起位置与降落位置之间切换；所述活动内衬20和所述固定内衬30均围绕所述承载装置40设置，所述固定内衬30与所述腔室本体10围成排气孔31或所述固定内衬30设有排气孔31； 在所述活动内衬20处于所述降落位置时，所述晶片传输孔与所述活动内衬20所围绕的空间连通，以供晶片03通过所述晶片传输孔传入至所述承载装置40上或从所述承载装置40通过所述晶片传输孔传出； 在所述活动内衬20处于所述升起位置时，所述活动内衬20、所述腔室本体10和所述固定内衬30围成工艺空间01，所述承载装置40位于所述工艺空间01中，所述工艺空间01与所述晶片传输孔密封隔离，所述工艺空间01与所述排气孔31连通，所述腔室本体10包括腔室外壳11和配气盘12，所述配气盘12设于所述腔室外壳11之内，所述配气盘12与所述腔室外壳11密封配合并围成配气腔02，所述腔室外壳11设有工艺气体输入孔111，所述工艺气体输入孔111与所述配气腔02连通，所述配气盘12开设有多个配气孔121； 在所述活动内衬20处于所述升起位置时，所述活动内衬20与所述配气盘12密封配合，且所述活动内衬20、所述配气盘12、所述固定内衬30和所述腔室外壳11围成所述工艺空间01，所述配气孔121连通所述配气腔02和所述工艺空间01。

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