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龙图腾网获悉北京芯算科技有限公司申请的专利一种MZI网络与光放大器耦合封装的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882154B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510041783.6，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种MZI网络与光放大器耦合封装的装置和方法是由杨文强;丛庆宇设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MZI网络与光放大器耦合封装的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MZI网络与光放大器耦合封装的装置和方法，包括如下步骤：选择折射率匹配油；在MZI网络芯片上刻蚀微槽；在微槽中涂覆胶，并在微槽与MZI网络之间刻蚀出间隙；进行光放大器有源部分的沉积；进行光放大器无源部分的沉积，并进行包层和电极的沉积；将光放大器芯片置于微槽中，并在间隙中填充折射率匹配油。本发明采用微槽刻蚀、MBE及热蒸镀技术，实现MZI网络与光放大器高效耦合封装，具备损耗低、精度高、稳定性强的优点。

本发明授权一种MZI网络与光放大器耦合封装的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种MZI网络与光放大器耦合封装的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、确定MZI网络的出射高度和光斑大小，根据MZI网络及光放大器材料选择适当的折射率匹配油； S2、根据光放大器芯片的芯层位置和芯片高度，在MZI网络芯片上刻蚀微槽； S3、在微槽中涂覆胶，并在微槽与MZI网络之间刻蚀出间隙； S4、采用MBE技术进行光放大器有源部分的沉积； S5、采用热蒸镀技术进行光放大器无源部分的沉积，并进行包层和电极的沉积； S6、使用吸附抓手将光放大器芯片置于微槽中，并在间隙中填充折射率匹配油； 所述S4具体包括： S41、将光放大器的衬底放置于MBE腔体中，并对MBE腔体进行真空抽气处理； S42、在衬底材料表面进行清洁和预热处理，去除表面氧化物，预热温度设置在300°C-500°C之间； S43、打开分子束源的束源开关，控制束流强度和沉积速率，将所需材料沉积在衬底表面； 所述S5具体包括： S51、准备无源部分的沉积材料，将沉积材料置于蒸镀舟内； S52、将衬底材料安装在蒸镀腔体内，并对蒸镀腔体抽真空； S53、控制衬底温度在200°C至400°C之间，促进沉积材料在衬底上的附着并形成均匀薄膜； S54、调节蒸镀速率和蒸镀时间，控制包层厚度； S55、完成蒸镀后，冷却衬底至室温，并保持腔体内的洁净状态； S56、进行电极的沉积； S57、完成沉积步骤后，对光放大器进行热处理和退火处理； 所述S6具体包括： S61、通过吸附抓手将光放大器芯片拾取，并将光放大器芯片从存储位置移动至MZI网络微槽的上方； S62、对光放大器芯片的定位进行调整，使光放大器芯片与MZI网络芯片微槽的对接面对齐； S63、降低吸附抓手的高度，将光放大器芯片嵌入微槽中； S64、调整吸附抓手的抓取强度，释放光放大器芯片，直至光放大器芯片完全置于微槽内，并确保与折射率匹配油完全接触； S65、在间隙中填充折射率匹配油，确保油层均匀分布于光放大器与微槽之间的间隙中； S66、利用显微镜检查光放大器芯片的位置和折射率匹配油的填充状态，确保光放大器芯片在微槽内的定位精度满足要求。

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