南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司吴小明获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种微型LED多色芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411854576.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种微型LED多色芯片及其制备方法是由吴小明;刘海荣;王立;王伟;胡民伟;李丹;杨小霞;魏平设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型LED多色芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
本发明授权一种微型LED多色芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型LED多色芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底,并在衬底上生长外延层，所述外延层包括依次堆叠的第一发光叠层、第二发光叠层和第三发光叠层； 对所述外延层进行部分刻蚀，形成第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，并暴露出第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的阳极接触面和阴极接触面； 在外延层表面制备钝化层，钝化层上设有通孔，所述通孔暴露出所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的阳极接触面和阴极接触面； 分别在所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的阴极接触面的通孔位置制备第一欧姆接触电极，阳极接触面的通孔位置制备第二欧姆接触电极； 分别在第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极上制备金属粘结叠层，所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的第一欧姆接触电极通过金属粘结叠层连接； 所述每个发光单元分别为蓝光单元、绿光单元或红光单元之一，且每个单元的颜色互不相同。
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