北京超弦存储器研究院王祥升获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311292425.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由王祥升;王少华;桂文华;段晶晶;王桂磊;艾学正;赵超设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括由下至上依次叠置的第一介质层及导电层；于各层第一介质层的侧面对应形成绝缘层；于各层导电层的侧面以及绝缘层的表面依次沉积沟道材料层、隔离层以及栅极导电层；去除各层绝缘层，以暴露出与各层第一介质层相对应的各层沟道材料层；去除暴露出的各层沟道材料层，以得到位于各层导电层侧面的沟道层。采用本发明的半导体结构的制备方法能够改善器件性能，保证器件正常工作并减小漏电流。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括由下至上依次叠置的第一介质层及导电层； 于各层所述第一介质层的侧面对应形成绝缘层； 于各层所述导电层的侧面以及所述绝缘层的表面依次沉积沟道材料层、隔离层以及栅极导电层； 去除各层所述绝缘层，以暴露出与各层所述第一介质层相对应的各层所述沟道材料层； 去除暴露出的各层所述沟道材料层，以得到位于各层所述导电层侧面的沟道层。
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