中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510226406.X，技术领域涉及：G03F1/58；该发明授权掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法是由罗先刚;程官于行;高平;赵博文;张涛;郑博明;赵泽宇;王长涛设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法，涉及光刻技术领域，掩模版吸收层制备方法包括：获得掩模基片；采用离子束沉积在掩模基片表面制备实际吸收层，其中，通过改变离子束沉积时所述掩模基片与靶材的相对角度，以调节制备实际吸收层所需靶粒子的入射方向与垂直于掩模基片表面方向之间的倾角大小，来调控实际吸收层的应力大小，以控制掩模基片表面的形变量和或面形PV。
本发明授权掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模版吸收层制备方法，其特征在于，包括： 获得掩模基片； 采用离子束沉积在所述掩模基片表面制备实际吸收层，其中，通过改变离子束沉积时所述掩模基片与靶材的相对角度，以调节制备所述实际吸收层所需靶粒子的入射方向与垂直于所述掩模基片表面方向之间的倾角大小，来调控所述实际吸收层的应力大小，并控制所述掩模基片表面的形变量和或面形PV； 其中，通过改变离子束沉积时所述掩模基片与靶材的相对角度，以调节制备所述吸收层所需靶粒子的入射方向与所述掩模基片表面之间的倾角大小，包括： 基于应力-倾角曲线，根据实际吸收层的材料类型和实际吸收层的沉积厚度，选取预定应力范围所对应的倾角并以所述预定应力范围所对应的倾角在掩模基片表面沉积形成所述实际吸收层； 所述应力-倾角曲线包括不同沉积厚度的预定吸收层在不同材料类型下的应力-倾角曲线或不同材料类型的预定吸收层在不同沉积厚度下的应力-倾角曲线。
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