买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411647201.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法是由刘志宏;魏宇君;惠安特;索淑怡;冯欣;杜航海;周弘;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，在沟道层与势垒层的界面附近形成高电子迁移率的二维电子气。在部分区域去除势垒层和部分沟道层，形成一个凹槽，在凹槽中生长三族氮化物半导体材料，形成连接的重掺杂区和轻掺杂区，轻掺杂区朝向栅电极。源电极的底部与重掺杂区的上表面形成欧姆接触，栅电极下方的二维电子气与源电极通过重掺杂区和轻掺杂区形成的2DEG‑n‑‑GaN‑n+‑GaN的结构，等效为在栅电极与源电极之间插入一个肖特基二极管，提高了射频GaN基HEMT器件的跨导平坦度、截止频率平坦度，拓宽了器件的动态输入范围、输入电压摆幅和输出电流摆幅，从而提高了器件的线性度。

本发明授权一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种线性度提升的射频GaN基HEMT器件，其特征在于：自下而上依次包括衬底1、成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层5； 缓冲层3、沟道层4和势垒层5为三族氮化物材料，该三族氮化物半导体为GaN、AlN、InN中的任意两种或者多种的组合，在沟道层4和势垒层5中间形成二维电子气2DEG，作为HEMT器件的导电沟道，势垒层5上方设有栅电极7，在栅电极7的一侧设有漏电极6，在另一侧的部分区域去除势垒层5和部分沟道层4，形成一个凹槽81，在凹槽81中生长三族氮化物半导体材料，形成连接的重掺杂区9和轻掺杂区10，其中的重掺杂区9为N型重掺杂n+，轻掺杂区10为N型轻掺杂n-，轻掺杂区10朝向栅电极，在栅电极7位于与漏电极6相反的一侧设置源电极8，源电极8的底部与重掺杂区9的上表面形成欧姆接触，源电极8与二维电子气不直接进行接触，栅电极7下方的二维电子气与源电极8通过重掺杂区9和轻掺杂区10形成的2DEG-n--GaN-n+-GaN的结构，等效为在栅电极7与源电极8之间插入一个肖特基二极管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。