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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411643959.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法是由何佳琦;王仝;刘志宏;周瑾;冯欣;杜航海;张苇杭;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自对准T型P‑GaN栅GaN基射频HEMT制作方法，首先在衬底上依次生长复合缓冲层、GaN沟道层、隔离层、势垒层、P‑GaN帽层材料，在GaN沟道与隔离层之间形成二维电子气；然后去除部分区域的P‑GaN帽层，剩下矩形形状的P‑GaN栅脚，在P‑GaN栅脚的两侧，进行源电极和漏电极金属的淀积并退火，形成源电极和漏电极的欧姆接触；下一步，在表面淀积一层介质，使用光刻胶为掩膜，在P‑GaN栅脚上方对介质进行精准刻蚀，利用P‑GaN栅脚侧壁介质比较厚的特点，获得介质‑P‑GaN栅脚‑介质的支撑结构，然后淀积栅金属并进行剥离，最后获得P‑GaN栅脚结合栅金属栅头的T型栅电极。此方案利用自对准刻蚀工艺，获得具有短栅长、亚微米的T型栅电极，实现增强型工作的GaN射频HEMT器件。

本发明授权一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准T型P-GaN栅GaN基射频HEMT制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将衬底1表面进行清洗，在衬底1上依次生长复合缓冲层2、沟道层3、隔离层4、势垒层5和P-GaN帽层6；在沟道层3与隔离层4之间形成二维电子气； S2：对器件进行隔离； S3：采用光刻工艺定义图形，去除部分区域的P-GaN帽层6，剩下矩形形状的P-GaN栅脚61； S4：采用光刻工艺定义图形，在P-GaN栅脚61的两侧，进行源电极7、漏电极8金属的淀积，并进行退火，形成源电极7和漏电极8的欧姆接触； S5：在势垒层5表面淀积一层介质形成介质层9，使用光刻胶为掩模，在P-GaN栅脚61上方对介质进行精确刻蚀，利用P-GaN栅脚61侧壁介质9比较厚的特点，获得介质-P-GaN栅脚-介质的支撑结构； S6：采用光刻工艺定义栅头图形，在介质-P-GaN栅脚-介质的支撑结构的上表面淀积栅金属形成栅金属栅头10，并进行剥离，获得P-GaN栅脚61结合栅金属栅头10的T型栅电极。

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