山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司刘莉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司申请的专利一种硅单晶位错滑移线的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891799.8，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种硅单晶位错滑移线的检测方法是由刘莉;张宏浩;江国兴;褚天宇;朱秦发;姜舰设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅单晶位错滑移线的检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅单晶位错滑移线的检测方法，特别适用于直径大于300mm、掺杂剂为B元素的晶向硅单晶位错滑移线的检测。所述方法包括：原生晶向硅单晶拉制完成后截取厚度为2‑10mm的样品，用去离子水将样品清洗干净；使用混合溶液对样品进行腐蚀，将样品浸入浓度为65‑68%的硝酸和浓度为45‑49%的氢氟酸的混合溶液，该混合溶液中氢氟酸与硝酸的体积比HF:HNO3=10:1，浸泡时间为30‑40min；使用目检灯对腐蚀后的结果进行判定，确定位错滑移线的位置和长度；使用X射线衍射形貌术对样品进行辅助判定。本发明检测方法操作简便易实现，采用无铬液腐蚀，并在强光灯下确定位错滑移线的位置和长度，能够排除干扰因素，准确识别到位错滑移线。
本发明授权一种硅单晶位错滑移线的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种硅单晶位错滑移线的检测方法，其特征在于，所述硅单晶为掺杂剂为B元素的100晶向硅单晶，该检测方法包括以下步骤： 1原生100晶向硅单晶拉制完成后截取厚度为2-10mm的样品，用去离子水将样品清洗干净； 2使用混合溶液对样品进行腐蚀，将样品浸入浓度为65-68%的硝酸和浓度为45-49%的氢氟酸的混合溶液，该混合溶液中氢氟酸与硝酸的体积比HF:HNO3=10:1，浸泡时间为30-40min； 3使用灯光强度≥7klux的目检灯对腐蚀后的结果进行判定，确定位错滑移线的位置和长度； 4使用X射线衍射形貌术对样品进行辅助判定。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司，其通讯地址为：253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号(中元科技创新创业园)A座921室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励