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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利半导体射频器件及其栅极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411860602.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体射频器件及其栅极的制备方法是由肖阳;蔡勇;邢娟;尹立航;吴增远;荆晴晴;薛俊民;彭宇杰;王恒设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体射频器件及其栅极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体射频器件及其栅极的制备方法。半导体射频器件栅极的制备方法包括：在外延结构上形成支撑层，并在所述支撑层上形成栅帽金属层；在所述外延结构和或所述支撑层、所述栅帽金属层的表面形成厚度均匀且连续的栅根金属层；对所述栅根金属层进行刻蚀，且至少使覆盖所述栅帽金属层侧壁或者覆盖所述栅帽金属层侧壁所述支撑层侧壁的栅根金属层被保留，并作为栅根，所述栅根与所述栅帽金属层配合形成栅极。本发明通过沉积栅极金属薄膜刻蚀栅极金属薄膜来定义栅极长度，实验结果表明，30nm‑300nm的栅长均可通过本发明的方案实现稳定制备。

本发明授权半导体射频器件及其栅极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体射频器件的栅极的制备方法，其特征在于，包括： 在外延结构上形成支撑层，所述支撑层包括依次设置的第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部，所述支撑层的第一支撑部、第二支撑部和第三支撑部分别覆盖所述外延结构的第一区域、第二区域和第三区域，源极区域和漏极区域中的一者位于所述第一区域，另一者位于所述第三区域； 在所述支撑层的第二支撑部上形成栅帽金属层； 刻蚀除去所述第三支撑部，以暴露所述外延结构的第三区域； 在所述支撑层的第一支撑部、所述栅帽金属层以及所述外延结构第三区域的表面形成连续且厚度均匀的栅根金属层，之后除去除分布在所述栅帽金属层的第一侧壁、第二侧壁、所述第二支撑部的第三侧壁之外的栅根金属层，余留在所述栅帽金属层的第二侧壁、所述第二支撑部的第三侧壁的栅根金属层作为栅根，所述栅帽金属层作为栅帽，所述栅根与所述栅帽电性配合形成栅极，其中，所述栅帽金属层的第一侧壁和第二侧壁相对设置，所述第一侧壁为靠近所述支撑层第一支撑部的侧壁，所述第三侧壁与所述第二侧壁位于同一侧。

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