江苏天芯微半导体设备有限公司王琰获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种电极组件及半导体预清洁设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119764151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411889129.2,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权一种电极组件及半导体预清洁设备是由王琰;葛绍理设计研发完成,并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电极组件及半导体预清洁设备在说明书摘要公布了:本发明提一种电极组,所述电极组件包括沿竖直方向堆叠设置的第一电极和第二电极;所述第一电极位于第二电极上方,第一电极和第二电极之间设有空腔;所述第一电极设有进气部和扩展部,所述进气部设有进气口,所述进气口与空腔连通;所述扩展部设有上部和与上部相对的下部,所述扩展部的上部与进气部连接,所述下部具有与第二电极相对下表面;所述扩展部还设有内壁和外壁,所述内壁构成空腔的侧壁,所述外壁的一端与进气部连接,所述外壁的另一端与扩展部下表面连接;所述扩展部的下表面设有介电部,所述介电部位于扩展部的下表面与外壁的连接区域。本发明提供的电极组件可以降低局部高电场区域,提高电场强度均匀性。
本发明授权一种电极组件及半导体预清洁设备在权利要求书中公布了:1.一种半导体预清洁设备,其特征在于,包括: 电极组件,被配置为产生远程等离子体; 工艺腔,所述工艺腔设置于所述电极组件的下方; 所述电极组件包括沿竖直方向堆叠设置的第一电极和第二电极;所述第一电极位于第二电极上方,第一电极和第二电极之间设有空腔;所述第二电极包括多个气体通路; 所述第一电极设有进气部和扩展部,所述进气部设有进气口,所述进气口与空腔连通; 所述扩展部设有上部和与上部相对的下部,所述扩展部的上部与进气部连接,所述下部具有与第二电极相对的下表面;所述扩展部还设有内壁和外壁,所述内壁构成空腔的侧壁,所述外壁的一端与进气部连接,所述外壁的另一端与扩展部下表面连接; 所述扩展部的下表面设有介电部,所述介电部位于扩展部的下表面与外壁的连接区域; 所述电极组件还包括隔离件,所述隔离件设置于所述第一电极和第二电极之间,所述隔离件将第一电极和第二电极电气隔离;所述隔离件设有与第一电极的扩展部外壁相对的第一侧壁,所述第一侧壁表面设有隔离层; 所述隔离件的第一侧壁与第一电极的扩展部的外壁之间设有分离间隙,所述介电部还设置于所述第一电极的扩展部的外壁。
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