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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411796791.3，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法是由于文韬;赵龙;潘晨;程斌设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法，器件包括衬底，衬底表面设置金属栅极层和绝缘层，绝缘层部分于覆盖金属栅极层上，绝缘层表面设置沟道层，沟道层表面间隔设置源极和漏极；沟道层由具有双极型场效应特性的材料制成；沟道层通过调节金属栅极层的电压调整为n‑‑p或n‑‑n同质结状态。制备方法包括以下步骤：在衬底上蒸镀金属栅极层；通过聚乙烯醇干法转移法，在金属栅极层和衬底上设绝缘层；通过聚乙烯醇干法转移法，在绝缘层表面设置沟道层；在沟道层上蒸镀源极和漏极。本发明所得器件，实现可重构的n‑‑p或n‑‑n同质结状态，最大光响应度为1.0AW，能够实现高灵敏度检测。

本发明授权一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件，其特征在于：包括衬底1，所述衬底1表面设置金属栅极层2和绝缘层3，所述绝缘层3部分于覆盖金属栅极层2上，所述绝缘层3表面设置沟道层4，所述沟道层4表面间隔设置源极5和漏极6；所述沟道层4由具有双极型场效应特性的材料制成；所述沟道层4通过调节金属栅极层2的电压调整为n--p或n--n同质结状态； 所述源极5接地，所述漏极6用于输出光电信号； 对所述沟道层4施加不同强度的光信号，施加在金属栅极层2的栅极电压大于零时，流过沟道层4的短路电流为正，短路电流从漏极6流出，短路电流随着栅极电压的增大而增大，扫描源漏电压实现n--n同质结场效应器件功能；施加在金属栅极层2的栅极电压小于零时，流过沟道层4的短路电流为负，短路电流从漏极6流入，短路电流随着栅极电压的增大而增大，扫描源漏电压实现n--p同质结场效应器件功能； 所述短路电流为漏极6和源极5短路时流过沟道层4的电流。

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