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龙图腾网获悉武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请的专利一种片上端面耦合器测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119688242B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510117872.4，技术领域涉及：G01M11/00；该发明授权一种片上端面耦合器测试结构是由刘敏;刘佳;陈代高;肖希设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上端面耦合器测试结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种片上端面耦合器测试结构，其包括光耦合入射组件和光耦合出射组件，光耦合入射组件用于将光从待测组件的一端传输至所述待测组件中，其中，所述待测组件包括沿光传输方向级联的若干个耦合器对，所述耦合器对包括对接布置的两个端面耦合器，且沿光传输方向，两个所述端面耦合器的首尾两端相反；光耦合出射组件用于将从所述待测组件中的另一端出射的光射出。本申请可以消除耦合界面模场失配而引入的损耗，从而可以精确测量模式转换效率带来的损耗，从而可以实现端面耦合器模式转换损耗测试与工艺问题定位与评估，从而对端面耦合器进行优化，以获得耦合效率更高的端面耦合器。

本发明授权一种片上端面耦合器测试结构在权利要求书中公布了：1.一种片上端面耦合器测试结构，其特征在于，其用于测量模式转换效率带来的损耗，其包括： 光耦合入射组件1，其用于将光从待测组件3的一端传输至所述待测组件3中，其中，所述待测组件3包括沿光传输方向级联的若干个耦合器对4，所述耦合器对4包括对接布置的两个端面耦合器5，且沿光传输方向，两个所述端面耦合器5的首尾两端相反； 光耦合出射组件2，其用于将从所述待测组件3中的另一端出射的光射出； 所述光耦合入射组件1包括光耦合入射耦合器11和入射光波导12，所述光耦合入射耦合器11与入射光波导12相连； 所述光耦合出射组件2包括光耦合出射耦合器21和出射光波导22，所述光耦合出射耦合器21与出射光波导22相连； 所述端面耦合器5包括模式转换波导51以及用于信号传输的直波导52，且所述模式转换波导51的一端构成所述端面耦合器5的首端，另一端连接于所述直波导52的一端，以使所述直波导52的另一端构成所述端面耦合器5的尾端； 在所述耦合器对4中，其中一个所述端面耦合器5的模式转换波导51的一端与另一个所述端面耦合器5的模式转换波导51的一端对接。

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