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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411689707.8，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺设备是由郑慧娜;江伟;贾士亮;闫志顺设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体工艺设备，包括腔室模组、传输装置和控制器，腔室模组包括多个工艺腔室，多个工艺腔室包括第一工艺腔室、第二工艺腔室、第三工艺腔室以及第四工艺腔室，且腔室模组包括多个堆栈式腔室结构，其中一个堆栈式腔室结构包括第一工艺腔室或第四工艺腔室，另一个堆栈式腔室结构包括第二工艺腔室或第三工艺腔室，控制器控制半导体工艺设备执行如下步骤：在第一工艺腔室中并在硅片的正面进行第一本征非晶硅薄膜层沉积；在硅片的背面进行第二本征非晶硅薄膜层的沉积；在第二本征非晶硅薄膜层上进行N型晶硅或非晶硅薄膜层的沉积；在第一本征非晶硅薄膜层上进行P型晶硅或非晶硅薄膜层的沉积。

本发明授权半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括腔室模组100、传输装置200和控制器，所述腔室模组100包括多个工艺腔室，所述多个工艺腔室包括第一工艺腔室101、第二工艺腔室102、第三工艺腔室103以及第四工艺腔室104，且所述腔室模组100包括多个堆栈式腔室结构，其中一个所述堆栈式腔室结构包括第一工艺腔室101或第四工艺腔室104，另一个所述堆栈式腔室结构包括第二工艺腔室102或第三工艺腔室103，所述控制器控制所述半导体工艺设备执行如下步骤： 控制所述传输装置200将未工艺的硅片传输至所述第一工艺腔室101中并在所述硅片的正面进行第一本征非晶硅薄膜层沉积； 控制所述传输装置200将经所述第一工艺腔室101工艺后的所述硅片进行翻面并在翻面后将所述硅片传输至所述第二工艺腔室102中以在所述硅片的背面进行第二本征非晶硅薄膜层的沉积； 控制所述传输装置200将经所述第二工艺腔室102工艺后的所述硅片传输至所述第三工艺腔室103中并在所述第二本征非晶硅薄膜层上进行N型晶硅或非晶硅薄膜层的沉积； 控制所述传输装置200将经所述第三工艺腔室103工艺后的所述硅片进行翻面并在翻面后将所述硅片传输至所述第四工艺腔室104并在所述第一本征非晶硅薄膜层上进行P型晶硅或非晶硅薄膜层的沉积。

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