北京北方华创微电子装备有限公司王一帆获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311182219.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权工艺腔室及半导体工艺设备是由王一帆设计研发完成，并于2023-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括：腔室本体，其顶部设有开口；上电极组件，包括封盖在开口处的上电极盖板，以及设置于上电极盖板的底面的电极组件，电极组件与腔室本体的侧壁之间设有环形间隙；阻抗环组件，套设在电极组件的外侧，阻抗环组件包括交替层叠设置的介质环和导电环，导电环与电极组件以及腔室本体的侧壁之间均为间隔设置；每一个导电环对应至少一个电性连接件，电性连接件在第一状态下将对应的导电环与腔室本体电连接，在第二状态下断开对应的导电环与腔室本体之间的电连接。本申请可以在不用拆卸上电极组件的情况下调整阻抗环组件的的厚度，以调节等离子体电流的分布，操作方便，可以提高生产效率。
本发明授权工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括： 腔室本体，其顶部设有开口； 上电极组件，包括封盖在所述开口处的上电极盖板，以及设置于所述上电极盖板的底面的电极组件，所述电极组件与所述腔室本体的侧壁之间设有环形间隙； 阻抗环组件，套设在所述电极组件的外侧，并位于所述环形间隙处，所述阻抗环组件包括交替层叠设置的介质环和导电环，并且位于最外侧的均为介质环，所述导电环与所述电极组件以及所述腔室本体的侧壁之间均为间隔设置； 电性连接件，每一个所述导电环对应至少一个所述电性连接件，所述电性连接件在第一状态下将对应的所述导电环与所述腔室本体的侧壁电连接，在第二状态下断开对应的所述导电环与所述腔室本体的侧壁之间的电连接。
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