中微半导体设备(上海)股份有限公司张辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种电极组件及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311168477.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种电极组件及等离子体处理装置是由张辉;孙诗韵设计研发完成，并于2023-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电极组件及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种电极组件，设置于等离子体处理装置内，所述电极组件用于承载待处理基片，其包括：静电吸盘，用于承载待处理基片；金属电极，设置于所述静电吸盘的下方；若干个顶升装置，每个所述顶升装置的顶端从所述静电吸盘顶部穿出至基片背面，每个所述顶升装置的底端设置于所述金属电极内；升降电机，设置于所述金属电极内，与所述顶升装置的底端连接；辅助控制电路，埋设在所述金属电极内，所述辅助控制电路与各所述升降电机电连接，用于控制各所述升降电机驱动各所述顶升装置的升高或下降，以实现基片的升降。本发明通过设置升降电机实现了基片的多级升降，且降低了结构复杂程度和生产成本。
本发明授权一种电极组件及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种电极组件，设置于等离子体处理装置内，所述电极组件用于承载待处理基片，其特征在于，包括： 静电吸盘，用于承载待处理基片； 金属电极，设置于所述静电吸盘的下方； 若干个顶升装置，每个所述顶升装置的顶端从所述静电吸盘顶部穿出至基片背面，每个所述顶升装置的底端设置于所述金属电极内； 升降电机，设置于所述金属电极内，与所述顶升装置的底端连接； 辅助控制电路，埋设在所述金属电极内，所述辅助控制电路与所述升降电机电连接，用于控制各所述升降电机驱动各所述顶升装置的升高或下降，以实现基片的升降。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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