买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种制备高性能的准二维蓝光PeLED器件的研究方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562741B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411752942.5，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种制备高性能的准二维蓝光PeLED器件的研究方法是由钟建;周志鹏;程登科;郭海宏;于军胜设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备高性能的准二维蓝光PeLED器件的研究方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种制备高性能的准二维蓝光PeLED器件的研究方法，属于显示技术领域，包括以下步骤：建立理论模型，仿真蓝光准二维钙钛矿薄膜的结晶取向性，制备准二维蓝光钙钛矿溶液，探究不同预热温度的影响，探究热注入反溶剂的影响，采用PIN结构和使用不同空穴传输层研究钙钛矿生长的传输层界面对准二维蓝光钙钛矿结晶取向的影响，表征调控后准二维蓝光钙钛矿的光电特性及由其制备的蓝光钙钛矿发光二极管的性能，本申请深入分析结晶过程中不同条件对晶体生长的影响，获得准二维蓝光钙钛矿晶体垂直生长的最优解，构筑与衬底相垂直的晶体取向，进而提高准二维蓝光钙钛矿的电荷传输。

本发明授权一种制备高性能的准二维蓝光PeLED器件的研究方法在权利要求书中公布了：1.一种制备高性能的准二维蓝光PeLED器件的研究方法，包括以下步骤： 步骤1：建立钙钛矿垂直生长的理论模型； 步骤2：通过建立的理论模型进行仿真，获取在不同成膜工艺中，基板温度对蓝光准二维钙钛矿薄膜的结晶取向性的影响数据； 步骤3：制备原料配比不同的准二维蓝光钙钛矿溶液； 步骤4：对基板设定梯度预热温度，获取在不同的基板预热温度下，准二维蓝光钙钛矿溶液的结晶状况和晶体取向数据； 步骤5：对反溶剂的温度进行梯度设置，获取在不同温度反溶剂的热注入下，准二维蓝光钙钛矿溶液的结晶取向数据； 步骤6：采用具有不同材质的空穴传输层的PIN型器件机构，获取在不同材质的空穴传输层下，准二维蓝光钙钛矿结晶的取向数据； 步骤7：表征基于步骤3到步骤6调控后的结晶出的准二维蓝光钙钛矿的光电特性及由其制备的蓝光钙钛矿发光二极管的性能，从缺陷态、能级、电荷传输角度分析垂直生长对蓝光钙钛矿发光二极管性能提升的原因； 步骤8：根据准二维蓝光钙钛矿材料特性采用适配的蓝光器件制备工艺，包括筛选不同P型半导体和N型半导体材料分别作为空穴和电子传输层； 步骤9：最后结合蓝光准二维钙钛矿薄膜制备蓝光器件，测试蓝光器件的电流密度-电压-亮度以及电致发光光谱，分析蓝光器件性能，结合仿真和测试结果调整蓝光器件的结构和改建工艺技术； 所述步骤1采用多晶薄膜结晶的岛状生长模型、钙钛矿界面生长模型和载流子传输模型，建立准二维蓝光钙钛矿中无机晶体垂直生长的动力学模型； 所述步骤2的具体步骤如下， 步骤2.1:根据建立的动力学模型，通过仿真获取蓝光准二维钙钛矿薄膜的光学和电学特性，并对蓝光PeLED进行光学仿真； 步骤2.2:通过光学仿真得到的结果，进一步仿真在不同成膜工艺中，基板温度对蓝光准二维钙钛矿薄膜的结晶取向性的影响； 所述步骤3的具体步骤如下， 步骤3.1:选用PbBr2、MABr、CsBr、PEABr材料为原料，选用N,N二甲基乙酰胺、二甲亚砜作为溶剂； 步骤3.2:将原料按不同配比分别溶解于两溶剂中或两溶剂的混合溶剂中，制备出多种不同原料配比的准二维蓝光钙钛矿溶液。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。