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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411429192.8，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法是由赵见国;武志勇;张玉尧;徐儒;常建华设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管Micro‑LED结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓GaN层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管HEMT结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构，可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED，不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题，还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外，在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。

本发明授权一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含驱动的Micro-LED结构，其特征在于：结构包括自左向右、自下而上依次设置的向上晶面为非极性面N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、GaN立体三角岛下半部分、N掺杂GaN立体三角岛上半部分；其中，GaN立体三角岛下半部分和N掺杂GaN立体三角岛上半部分形成一个整体的三角台面结构S，通过掩膜层的微孔中向上外延生长获得，除底部外包含两个左右对称的三角形斜面、一个与底面垂直的三角形侧面和一个与底面平行且几何相似的三角形顶面；设置在左侧的结构包括：Al组分0.1x0.4的AlxGa1-xN层、绝缘介质层，以及在GaN立体三角岛下半部分下方的A电极、在绝缘介质层上并且靠近A电极的B电极；其中AlxGa1-xN层覆盖GaN立体三角岛下半部分的左侧斜面并继续向上延伸，覆盖至N掺杂GaN立体三角岛上半部分的左侧斜面不小于30%；设置在右侧的结构包括：覆盖整个三角台面结构S右侧的N掺杂的应变调控层、依次覆盖的量子阱层、载流子调控层、P型InyGa1-yN层、与P型InyGa1-yN层欧姆接触的C电极。

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