杭州富加镓业科技有限公司齐红基获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富加镓业科技有限公司申请的专利具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411645446.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件及其制备方法是由齐红基;陈端阳;田卡设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括从下至上依次层叠设置的第一电极层、氧化镓衬底、氧化镓外延层和第一介质层；还包括：连续位于氧化镓外延层表面和第一介质层部分表面上的p型半导体层，p型半导体层位于第一介质层部分表面上的部分即为第一场板；位于第一介质层表面上且与第一场板间隔设置的p型半导体屏蔽环；连续位于第一介质层表面、p型半导体屏蔽环表面以及第一场板部分表面上的第二介质层；连续位于p型半导体层表面和第二介质层部分表面上的第二电极层，第二电极层位于第二介质层部分表面上的部分即为第二场板。本发明提供的器件具有更高的击穿电场，更好的耐压性能。
本发明授权具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件，其特征在于，所述具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件包括从下至上依次层叠设置的第一电极层、氧化镓衬底和氧化镓外延层； 所述具有介质层电场屏蔽环的氧化镓基功率器件还包括： 第一介质层，位于所述氧化镓外延层的表面上； p型半导体层，连续位于所述氧化镓外延层的表面上和所述第一介质层的部分表面上，所述p型半导体层位于所述第一介质层部分表面上的部分即为第一场板； p型半导体屏蔽环，位于所述第一介质层的表面上且与所述第一场板间隔设置； 第二介质层，连续位于所述第一介质层的表面上、所述p型半导体屏蔽环的表面上以及所述第一场板的部分表面上； 第二电极层，连续位于所述p型半导体层的表面上和所述第二介质层的部分表面上，所述第二电极层位于所述第二介质层部分表面上的部分即为第二场板。
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