深圳晶源信息技术有限公司江畅获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳晶源信息技术有限公司申请的专利光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119514357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586599.1，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品是由江畅;王航宇设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取光刻仿真流程中光刻胶的实际形貌量测数据以及与光刻仿真流程对应的光刻胶的N个物理化学效应函数；基于N个物理化学效应函数，建立初始光刻模型；基于初始光刻模型和实际形貌量测数据，通过运行遗传算法迭代求解得到适应度符合第一预设条件的目标参数组合，适应度基于初始光刻模型的损失函数和或均方根误差确定得到；基于目标参数组合，确定得到光刻仿真流程下光刻胶的目标光刻模型。根据本申请实施例，能够更为高效、准确地实现光刻模型建立，从而能够有效提升整体光刻模型建立效率以及提高光刻胶形貌预测精度。
本发明授权光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种光刻模型建立方法，其特征在于，所述方法包括： 获取光刻仿真流程中光刻胶的实际形貌量测数据以及与所述光刻仿真流程对应的光刻胶的N个物理化学效应函数，所述物理化学效应函数用于表征光刻胶在所述光刻仿真流程中发生的物理化学效应，N为正整数； 基于所述N个物理化学效应函数，建立初始光刻模型，所述初始光刻模型中包括所述N个物理化学效应函数中的多个待求解参数； 基于所述初始光刻模型和所述实际形貌量测数据，通过运行遗传算法迭代求解得到适应度符合第一预设条件的目标参数组合，所述适应度基于所述初始光刻模型的损失函数和或均方根误差确定得到，所述目标参数组合中包括所述多个待求解参数分别对应的目标取值； 基于所述目标参数组合，确定得到所述光刻仿真流程下光刻胶的目标光刻模型。
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