安徽格恩半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有光场调控层的氮化物半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119481951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585667.2，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有光场调控层的氮化物半导体激光器是由郑锦坚;蓝家彬;邓和清;寻飞林;胡志勇;李晓琴;张会康;蔡鑫;黄军;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有光场调控层的氮化物半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有光场调控层的氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层，所述第一下波导层位于所述第二下波导层下方，所述第一下波导层与下限制层之间设置有第一光场调控层，所述第一下波导层与第二下波导层之间设置有第二光场调控层，所述第一下波导层、第二下波导层和第二光场调控层中均具有In元素浓度变化趋势，所述第一光场调控层中具有Al元素浓度变化趋势。本发明能够抑制激光器的折射率色散，降低下波导层高浓度载流子浓度起伏影响有源层和下波导层的折射率变化，提升激光器的限制因子，增强激光器的模式增益。
本发明授权一种具有光场调控层的氮化物半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有光场调控层的氮化物半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述下波导层包括第一下波导层和第二下波导层，所述第一下波导层位于所述第二下波导层下方，所述第一下波导层与下限制层之间设置有第一光场调控层，所述第一下波导层与第二下波导层之间设置有第二光场调控层，所述第一下波导层、第二下波导层和第二光场调控层中均具有In元素浓度变化趋势，所述第一下波导层中In元素浓度变化角度为0°至30°，所述第二下波导层中In元素浓度变化角度为0°至60°，所述第二光场调控层中In元素浓度变化角度为45°至90°，所述第一光场调控层中具有Al元素浓度变化趋势，所述第一光场调控层中Al元素浓度变化角度为45°至90°，所述角度为沿曲线的切线倾斜角。
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