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龙图腾网获悉长电集成电路(绍兴)有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411521136.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由罗富铭;冷凯;刘志平;江斐;刘新;潘波设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供初始塑封结构，初始塑封结构包括沿第一方向依次层叠的第一载板、第一键合层、第一线路层、第一芯片和塑封层；第一线路层的部分第一连接件与第一芯片的第二连接件电连接；第一芯片包括第二连接件以及包裹第二连接件的半导体层；沿第一方向去除部分塑封层和部分半导体层，直至暴露出第二连接件；于塑封层上形成第二线路层后，于第二线路层上形成第二载板，第二线路层与第二连接件电连接；去除第一载板和第一键合层，暴露出第一线路层，第一线路层用于与至少一第二芯片电连接，从而降低单线路的承载压力，并提高半导体封装产品的良率。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供初始塑封结构，所述初始塑封结构包括沿第一方向依次形成且层叠的第一载板、第一键合层、第一线路层、第一芯片和塑封层；其中，所述第一方向为垂直于所述第一载板顶面的方向；所述第一线路层的部分第一连接件与所述第一芯片的第二连接件电连接；所述第一芯片包括所述第二连接件以及包裹所述第二连接件的半导体层；所述第一线路层上包括位于所述第一芯片外围的多个金属柱，所述金属柱与所述第一线路层的剩余的第一连接件连接； 沿所述第一方向去除部分所述塑封层和部分所述半导体层，直至暴露出第一目标高度的所述第二连接件，且剩余塑封层覆盖所述多个金属柱，形成覆盖剩余的所述半导体层和暴露出的第二连接件的介电层；所述第一目标高度为10微米-15微米； 沿所述第一方向同期去除部分所述介电层、部分所述金属柱和部分的所述塑封层，直至暴露出所述第二连接件和所述金属柱；剩余的介电层的顶面与剩余的塑封层的顶面齐平；于所述塑封层上形成第二线路层后，于所述第二线路层上形成第二载板，所述第二线路层与所述第二连接件电连接； 去除所述第一载板和所述第一键合层，暴露出所述第一线路层，所述第一线路层用于与至少一第二芯片电连接； 沿所述第一方向去除部分所述塑封层和部分所述半导体层，包括： 采用磨削工艺沿所述第一方向去除所述塑封层和所述半导体层，直至暴露出所述第一芯片的第二连接件； 采用干法刻蚀工艺沿所述第一方向去除部分所述半导体层，使所述第二连接件部分凸出于剩余的半导体层，以去除残留于所述半导体层上的线路材料；所述线路材料与所述第二连接件的材料相同，且所述干法刻蚀工艺包括反应离子刻蚀或高浓度等离子体刻蚀。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长电集成电路(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区临江路500号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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