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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411503530.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件是由王颖;冯博明;刘军;郭浩民设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了包含嵌入层的增强型AlGaNGaNHEMT器件。包括自下而上层叠的硅衬底、成核层、缓冲层、P嵌入层、N嵌入层、沟道层、势垒层和钝化层，以及位于钝化层的两侧的源极和漏极，位于源极和漏极之间的p‑GaN层，位于p‑GaN层上方的栅极。所述漏极从钝化层表面延伸至沟道层上表面，并与沟道层、势垒层、钝化层直接电接触。所述p‑GaN层嵌入钝化层直至与势垒层的上表面接触。所述源极从钝化层表面延伸至P嵌入层内，并与P型嵌入层、N型嵌入层、沟道层、势垒层、钝化层直接电接触。本申请在提高器件的关态耐压能力且不损失输出特性的同时，优化了器件的动态导通电阻特性。

本发明授权包含嵌入层的增强型AlGaN/GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.包含嵌入层的增强型AlGaNGaNHEMT器件，包括自下而上层叠的硅衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，以及位于钝化层的两侧的源极和漏极，位于源极和漏极之间的p-GaN层，位于p-GaN层上方的栅极；所述漏极从钝化层表面延伸至沟道层上表面，并与沟道层、势垒层、钝化层直接电接触；所述p-GaN层嵌入钝化层直至与势垒层的上表面接触；其特征在于：在沟道层和缓冲层之间设置了上下堆叠的N型嵌入层和P型嵌入层；所述源极从钝化层表面延伸至P型嵌入层内，并与P型嵌入层、N型嵌入层、沟道层、势垒层、钝化层直接电接触；由于N型嵌入层位于所述P型嵌入层和沟道层之间，其有效隔绝了P型嵌入层内P型杂质对沟道层内2DEG的影响； 所述N型嵌入层材料为Al0.1Ga0.9N，厚度为0.5μm~1μm，N型掺杂浓度为1×1014cm-3~1×1016cm-3；所述P型嵌入层材料为Al0.1Ga0.9N，厚度为0.5μm~1μm，P型掺杂浓度为5×1017cm-3~5×1018cm-3。

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