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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411503528.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法是由王颖;谢豪杰;刘军;于成浩设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法。所述晶体管结构从下到上包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和介质层。介质层的两侧分别设有源极沟槽和漏极沟槽，源极沟槽和漏极沟槽之间的位置设有栅极结构。所述栅极结构包括靠近源极沟槽的左栅极结构与靠近漏极沟槽的右栅极结构，左、右栅极结构间通过介电质隔离。该结构使得晶体管在相同的栅压之下，其右侧栅极的电场能得到左侧栅极的调节，分布更加均匀，改善其栅极漏电。同时左侧栅极能带变化较小，减小空穴逸散和电子捕获，从而改善器件的动态阈值等问题。在损失了一定导通电阻，栅极电容的前提下，提高了器件的饱和源漏电流，降低栅极漏电，提高栅极可靠性。

本发明授权基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法在权利要求书中公布了：1.基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤： 步骤1、制备功率半导体器件的硅衬底区域，在所述硅衬底区域采用有机金属化学气相沉积添加C杂质，依次外延生长AlN成核层、AlGaN缓冲层；在AlGaN缓冲层上通过金属有机化学气相沉积依次生长外延非有意掺杂的GaN沟道层和非有意掺杂的AlGaN势垒层；再以等离子体增强化学汽相沉积法在AlGaN势垒层上沉积第一介质层； 步骤2、通过电感耦合等离子体蚀刻第一介质层打开右栅极窗口之后，再用低损伤氧化HCL浸渍的数字刻蚀工艺继续刻蚀，直到暴露出AlGaN势垒层，得到右栅极凹槽； 步骤3、在右栅极凹槽上通过金属有机化学气相沉积，使用Mg作为P型掺杂，外延生长，得到右p型帽层；再采用低压化学气相沉积法在右p型帽层上方沉淀NiAu至高出第一介质层，形成右栅极金属； 步骤4、在右栅极金属右侧的第一介质层上，沉积铝金属得到右栅极场板；右栅极场板与右栅极金属的右侧壁直接接触； 步骤5、以等离子体增强化学汽相沉积法在第一介质层上沉积0.2µm的第二介质层；重复上述步骤2~4方法，刻蚀出左栅极凹槽，左栅极凹槽与右栅极凹槽通过第一介质层、第二介质层隔离，且左栅极凹槽暴露出AlGaN势垒层，并依次沉积得到左p型帽层、左栅极金属与左栅极场板；左栅极金属高出第二介质层；左栅极场板位于左栅极金属右侧的第二介质层上且与左栅极金属的右侧壁直接接触； 步骤6、在第二介质层的两侧采用低损伤氧化HCL浸渍的数字刻蚀工艺，直到露出GaN沟道层，继续刻蚀至沟道层上表面下0.05µm，得到源极沟槽和漏极沟槽；源极沟槽位于左栅极凹槽的左侧，漏极沟槽位于右栅极凹槽的右侧；左栅极场板的右端位于第二介质层内右栅极场板与漏极沟槽之间的位置；采用电子束蒸发的方式，依次镀上厚度为20nm、130nm、50nm、150nm的Ti、Al、Ni、Au，再在氮气的环境下在890℃下退火30s，形成源电极、漏电极的金属接触。

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