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龙图腾网获悉北京城市排水集团有限责任公司申请的专利可降解载体自养反硝化生物滤池工艺的快速启动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119390242B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411820881.1，技术领域涉及：C02F3/28；该发明授权可降解载体自养反硝化生物滤池工艺的快速启动方法是由李魁晓;姜大伟;王慰;王金惠;王刚;王克明;贺赟;邢旭设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本可降解载体自养反硝化生物滤池工艺的快速启动方法在说明书摘要公布了：本发明属于污水处理技术领域，公开了可降解载体自养反硝化生物滤池工艺的快速启动方法。方法：在填有可降解载体微生物膜自养脱氮填料的自养反硝化生物滤池中连续进水，向滤池加促进剂A；待达到第一培养条件阈值时，加促进剂B；待达到第二培养条件阈值时，加促进剂C，待达到第三培养条件阈值时，工艺启动成功并进入稳定运行阶段，且停止促进剂C的投加。本发明减少了可降解载体自养反硝化生物滤池的启动时间，提高滤池启动速率，达到快速启动的目的。

本发明授权可降解载体自养反硝化生物滤池工艺的快速启动方法在权利要求书中公布了：1.可降解载体自养反硝化生物滤池工艺的快速启动方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S1：第一培养阶段 在填有可降解载体微生物膜自养脱氮填料的自养反硝化生物滤池中连续进水；向自养反硝化生物滤池中添加脱氮硫杆菌生长促进剂A，监测自养反硝化生物滤池内的水的溶解氧浓度和氧化还原电位；待自养反硝化生物滤池内的水的溶解氧浓度和氧化还原电位达到第一培养条件阈值时，进入下一培养阶段； 所述脱氮硫杆菌生长促进剂A由如下组分组成：硫代硫酸钠、氯化铵、硫酸镁和硫酸亚铁； 所述脱氮硫杆菌生长促进剂A的添加量与所述自养反硝化生物滤池内的水量的体积比为0.8-1.2：1000； 所述第一培养条件阈值包括：溶解氧浓度为低于0.5mgL，氧化还原电位为低于-150mV； 所述第一培养阶段花费的时间为10-18h； S2：第二培养阶段 在连续进水过程中向自养反硝化生物滤池中添加脱氮硫杆菌生长促进剂B，监测自养反硝化生物滤池出水的溶解氧浓度、氧化还原电位和硝酸盐氮去除率；待自养反硝化生物滤池出水的溶解氧浓度、氧化还原电位和硝酸盐氮去除率达到第二培养条件阈值时，进入下一培养阶段； 所述脱氮硫杆菌生长促进剂B由如下组分组成：氯化铵、硫酸镁、硫酸亚铁和碳酸氢钠； 所述第二培养阶段中，脱氮硫杆菌生长促进剂B的添加量与所述自养反硝化生物滤池内的水量的体积比为0.5-1.0：10000； 所述第二培养条件阈值包括：溶解氧浓度为低于0.5mgL，氧化还原电位为低于-150mV，硝酸盐氮去除率为≥90%； 所述第二培养阶段花费的时间为16~49h； S3：第三培养阶段 在连续进水过程中向自养反硝化生物滤池中添加脱氮硫杆菌生长促进剂C，监测自养反硝化生物滤池出水的溶解氧浓度、氧化还原电位和硝酸盐氮去除率；待自养反硝化生物滤池出水的溶解氧浓度、氧化还原电位和硝酸盐氮去除率达到第三培养条件阈值时，标志工艺启动成功并进入稳定运行阶段，且停止所述脱氮硫杆菌生长促进剂C的投加； 所述脱氮硫杆菌生长促进剂C由如下组分组成：碳酸氢钠和氯化铵； 所述第三培养阶段中，脱氮硫杆菌生长促进剂C的添加量与所述自养反硝化生物滤池内的水量的体积比为0.8-1.2：10000； 所述第三培养条件阈值包括：溶解氧浓度为低于0.5mgL；氧化还原电位为低于-140mV；硝酸盐氮去除率为≥90%； 所述第三培养阶段花费的时间为12-40h； 所述方法无需接种活性污泥； 所述自养反硝化生物滤池的进水包括生活污水、工业废水、污水厂二级出水、再生水厂总退水和景观水体中的至少一种。

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