华中科技大学徐明获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种导电桥型阈值开关器件和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119365065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411393430.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种导电桥型阈值开关器件和电子设备是由徐明;熊昌鹰;唐飞宇;沈佳豪;汤思琦;缪向水设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导电桥型阈值开关器件和电子设备在说明书摘要公布了：本申请属于微电子器件技术领域，具体公开了一种导电桥型阈值开关器件和电子设备。通过本申请，硒化物层为二维NbSe2，氧化物层为Nb2O5，形成二维NbSe2‑Nb2O5的异质双层薄膜结构，相较于钒硒氧混合物层VSe2‑xOx的电阻率小于1.1×104Scm，Nb2O5的禁带宽度更大，电阻率提升了7‑8个数量级，使得器件高阻态阻值更高，至少降低泄露电流3个数量级。
本发明授权一种导电桥型阈值开关器件和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种导电桥型阈值开关器件，其特征在于，由下至上依次包括：活性底电极、二维二硒化铌层、五氧化二铌氧化层和惰性顶电极； 所述五氧化二铌氧化层通过本征氧化生长在所述二维二硒化铌层上，形成二维NbSe2-Nb2O5的异质双层薄膜结构； 所述二维二硒化铌层作为活性离子阻挡层和界面接触缓冲层； 所述五氧化二铌氧化层作为阈值开关功能层； 所述五氧化二铌氧化层的厚度小于2nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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