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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种独立台面结构的非极性面Micro-LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411429289.9，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种独立台面结构的非极性面Micro-LED及其制备方法是由赵见国;武志勇;张玉尧;徐儒;常建华设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种独立台面结构的非极性面Micro-LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种独立台面结构的非极性面微型发光二极管Micro‑LED及其制备方法，基于选区外延和侧向外延实现外延结构的充分弛豫，可有效抑制外延层中缺陷的产生。同时，在相互独立的台面上生长相互独立的量子阱等Micro‑LED功能层，可以免量子阱刻蚀损伤制备Micro‑LED，消除传统方案通过工艺刻蚀减小LED尺寸造成的量子阱刻蚀损伤和额外导致的非辐射复合，有效提高Micro‑LED的效率。本发明为制备Micro‑LED提供了新的结构和方法，有利于推动Micro‑LED的商业化应用。

本发明授权一种独立台面结构的非极性面Micro-LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种独立台面结构的非极性面Micro-LED，其特征在于：包括自下而上依次设置的向上晶面为非极性面N型GaN层101、含有微孔阵列的掩膜层102、通过掩膜层102微孔与N型GaN层101相连的In组分x为0≤x≤0.35的N型InxGa1-xN台面结构103，在台面结构103上面依次延续生长的应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106和In组分y为0≤y≤0.15的P型InyGa1-yN层107，覆盖在由N型InxGa1-xN台面结构103、应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106和P型InyGa1-yN层107共5部分构成的台面体的斜面与侧面、以及部分掩膜层102上的钝化层108、穿过掩膜层102和钝化层108并且与N型GaN层101具有良好欧姆接触的N电极109、填充在钝化层108与N电极109外侧的隔离层110、覆盖在P型InyGa1-yN层107是隔离层110上面的P电极111；其中，非极性面N型GaN层101和N型InxGa1-xN台面结构103向上的顶面同时为11-20面，此时台面结构103为三角台面结构，除向上的顶面外，还包含同时为{1-101}晶面族的左右两个斜面和晶面为000-1并且与顶面垂直的侧面；或者，非极性面N型GaN层101和N型InxGa1-xN台面结构103向上的顶面同时为1-100面，此时台面结构103为梯形台面结构，除向上的顶面外，还包含同时为{11-20}晶面族的左右两个斜面和晶面分别为0001和000-1的前后两个与顶面垂直的侧面；应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106和P型InyGa1-yN层107表面均与N型InxGa1-xN台面结构103表面平行，并且应变调控层104和载流子调控层106可选择性设置或不设置。

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