拓荆科技(上海)有限公司万亿获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119287344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411399275.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备是由万亿;刘振;杨天奇设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备，该反应腔包括：第一腔体、第二腔体、抽气口、第一膜厚传感器和第二膜厚传感器，所述抽气口设于所述第一腔体与所述第二腔体的中间，所述第一膜厚传感器设于所述第一腔体中且邻近所述抽气口，所述第二膜厚传感器设于所述第二腔体中且邻近所述抽气口。该方法包括：获取第一膜厚传感器检测的第一薄膜厚度和第二膜厚传感器检测的第二薄膜厚度；将所述第一薄膜厚度与所述第二薄膜厚度进行比较以确定所述第一薄膜厚度与所述第二薄膜厚度之间的膜厚差值。通过本申请实现了两腔成膜厚度的实时在线监测，极大地节省了测量的时间，加快工艺开发进度，辅助提高两腔薄膜厚度表现的一致性。
本发明授权反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种反应腔，其特征在于，包括：第一腔体、第二腔体、抽气口、第一膜厚传感器和第二膜厚传感器，所述抽气口设于所述第一腔体与所述第二腔体的中间，抽气口一半位于第一腔体，另一半位于第二腔体，所述第一膜厚传感器设于所述第一腔体中且邻近所述抽气口，所述第二膜厚传感器设于所述第二腔体中且邻近所述抽气口，所述第一膜厚传感器在所述第一腔体中的位置与所述第二膜厚传感器在所述第二腔体中的位置相对称。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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