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龙图腾网获悉江苏超芯星半导体有限公司申请的专利一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119238754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411469199.2，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法是由刘欣宇;袁振洲设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法，其中一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统包括，X射线断层CT扫描设备，获取晶体内部的结构和缺陷信息；碳化硅晶体固定设备，用于固定碳化硅晶体；3D数据处理模块，与X射线断层CT扫描设备连接，包括缺陷数据模块、缺陷数据对比分析模块、图像处理及生成模块；切割数据处理模块，接收3D缺陷数据及图像后，经过切割数据模块处理计算形成最佳的切割路径方法；切割系统，与切割数据处理模块相连接，按照最佳的切割路径，设置切割工艺参数，最终形成碳化硅晶片；本发明通过3D扫描缺陷以及缺陷数据分析得到最佳的切割路线，形成低缺陷高良率晶片，适应不同的缺陷分布，提高了切割的精度和效率，减少了加工损耗。

本发明授权一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法在权利要求书中公布了：1.一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割方法，其特征在于：包括， X射线断层CT扫描设备，用于对碳化硅晶体进行全方位、高分辨率的3D扫描，获取晶体内部的结构和缺陷信息； 碳化硅晶体固定设备，用于固定碳化硅晶体，具备旋转和上下垂直移动功能，确保在扫描和切割过程中晶体的位置精确可控； 3D数据处理模块，与X射线断层CT扫描设备连接，包括缺陷数据模块、缺陷数据对比分析模块、图像处理及生成模块；3D数据处理模块得到X射线数据信号后，得到碳化硅晶体的3D缺陷图像； 切割数据处理模块，与3D数据模块相连接，接收3D缺陷数据及图像后，经过切割数据模块处理计算形成最佳的切割路径方法； 切割系统，与切割数据处理模块相连接，按照最佳的切割路径，设置切割工艺参数，最终形成碳化硅晶片； X射线断层CT扫描设备是微焦高能X射线管，X射线光源的加速电压范围为200～350kV，光源焦点尺寸≤10微米，曝光时间≥1000ms,空间分辨率≤80微米； 缺陷数据模块中包括微管缺陷数据模块、碳包裹缺陷数据模块、多晶多型缺陷数据模块；缺陷数据对比分析模块针对不同的缺陷数据进行分类；图像生成模块针对对比分析结果，赋予不同的缺陷类型以不同的颜色表达，正常范围内的数据用黑色表示； 基于3D缺陷图像数据，切割数据处理模块含有缺陷分布分析模块、切割路径分析模块，切割数据处理模块的切割路径分析模块中设置有4个碳化硅缺陷级别划分，A类级别缺陷指标为＜1000个cm2、B类级别缺陷指标1000-3000个cm2；C类级别缺陷指标3000-8000个cm2；D类缺陷指标＞8000个cm2； 基于上述切割系统的切割方法步骤如下： 步骤1：对碳化硅晶体进行表面清洁处理； 步骤2：将碳化硅晶体至于固定设备，设置旋转或者移动速度，X射线断层CT扫描发射X射线，碳化硅晶体旋转或者上下移动，获取X射线数据信号； 步骤3：X射线数据信号输入3D数据处理模块，依据不同缺陷部位对X射线吸收或者散射的差异，对X数据进行处理分析，最终经过图像生成模块形成3D缺陷图像； 步骤4：3D缺陷图像数据输入切割数据模块，切割数据模块依据4个碳化硅缺陷级别进行数据分析，得到最佳的切割路径； 步骤5：切割系统依据最佳切割路径进行切割，选择合适的切割参数，最终得到不同规格的碳化硅晶片； 步骤4中，切割数据模块依据4个碳化硅缺陷级别进行数据分析，同时设定切割路径最大程度穿过缺陷密集区域，第一次切割最终得到表面缺陷最小化的不同厚度碳化硅晶片； 对于第一次切割最终得到表面缺陷最小化的不同厚度碳化硅晶片，可以进一步进行切割路径分析，二次切割得到缺陷最小化的满足厚度需求的碳化硅晶片。

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