中国科学院半导体研究所王军喜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利判断量子阱有源层激射特性的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119223927B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411460841.0，技术领域涉及：G01N21/63；该发明授权判断量子阱有源层激射特性的测试方法是由王军喜;吴涵;郭亚楠;刘志彬;李晋闽;闫建昌设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本判断量子阱有源层激射特性的测试方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供一种判断量子阱有源层激射特性的测试方法，包括：选择一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层和量子阱有源层，获取外延片；对所述外延片做变激发功率的表面光致发光测试，采集发光光谱；对获取的每条发光光谱进行单峰或多峰函数拟合，获取量子阱低能端窄峰的积分强度和线宽；绘制量子阱低能端窄峰的积分强度随激发功率变化的散点图，通过线性拟合得到窄峰出现的起点阈值；比较多个所述外延片的窄峰的起点阈值和线宽，基于比较结果，预测所述量子阱有源层的激射特性。本发明的测试方法，可快速判断量子阱有源层激射特性的优劣，测试方法为无损测试，操作过程简单且测试结果稳定性好，能够有效节省测试时间。
本发明授权判断量子阱有源层激射特性的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种判断量子阱有源层激射特性的测试方法，其特征在于，包括： 选择一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层和量子阱有源层，获取外延片； 对所述外延片做变激发功率的表面光致发光测试，采集发光光谱； 对获取的每条发光光谱进行单峰或多峰函数拟合，获取量子阱低能端窄峰的积分强度和线宽； 绘制量子阱低能端窄峰的积分强度随激发功率变化的散点图，通过线性拟合得到窄峰出现的起点阈值； 比较多个所述外延片的窄峰的起点阈值和线宽，基于比较结果，预测所述量子阱有源层的激射特性； 所述测试方法中的所述外延片未经过解理处理，在所述外延片上进行的测试为无损测试。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励