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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310763366.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种半导体工艺设备是由胡国莉;崔宇设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体工艺设备；包括：抽气组件用于对工艺腔室进行抽真空；压力检测器用于检测工艺腔室内压力；进气管路包括一条进腔管路和与进腔管路连接的至少一条气体管路，进腔管路的出气端与工艺腔室连接，进气端与各条气体管路连接；各条气体管路均包括顺序连接的n级子管路；进气管路中设置有与控制单元连接的n‑1级第一通断控制部；i‑1级第二通断控制部；控制单元用于根据检漏指令，控制抽气组件对工艺腔室进行抽真空，控制相应的第一通断控制部、第二通断控制部打开或关闭，并根据压力检测器所检测的压力值，生成管路检漏信息。本发明实施例通过分级对管路进行检漏，避免管路污染。

本发明授权一种半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、抽气组件、压力检测器、进气管路、以及控制单元； 所述抽气组件用于对所述工艺腔室进行抽真空； 所述压力检测器用于检测所述工艺腔室内压力； 所述进气管路包括一条进腔管路和与所述进腔管路连接的至少一条气体管路，所述进腔管路的出气端与所述工艺腔室连接，进气端与各条所述气体管路连接；各条所述气体管路均包括顺序连接的n级子管路；第i级子管路的出气端与第i-1级子管路连接，进气端与第i+1级子管路连接；第n级子管路的进气端与气源连接；其中n、i为整数，且1in； 所述进气管路中设置有与所述控制单元连接的n-1级第一通断控制部；第i级第一通断控制部设置在第i级子管路与第i+1级子管路的连接处； 所述进气管路中还设置有与所述控制单元连接的i-1级第二通断控制部；第i-1级第二通断控制部设置在第i级子管路中； 所述控制单元用于根据检漏指令，控制所述抽气组件对所述工艺腔室进行抽真空，控制相应的所述第一通断控制部、所述第二通断控制部打开或关闭，并根据所述压力检测器所检测的压力值，生成管路检漏信息。

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