东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所李胜获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所申请的专利一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133229B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411293152.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件是由李胜;杨皓翔;马岩锋;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二势垒层、第二金属源电极、第二金属漏电极、第二金属栅电极构成的高测区，由绝缘介质层和导热介质层构成的沟槽区；本发明通过沟槽区将器件体内的热量导出，能够提高器件的散热性能。
本发明授权一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件在权利要求书中公布了：1.一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，其结构包括：衬底1，所述衬底1上表面设有的低测区A和高测区B，所述低测区A和高测区B之间设有的沟槽区C； 所述低测区A包括自下而上层叠的第一缓冲层2a、第一沟道层3a和第一势垒层5a，所述第一沟道层3a与第一势垒层5a之间由于极化效应产生具有高电子迁移率的第一异质结沟道4a，所述第一势垒层5a上表面设有的第一金属源电极6a、第一p-GaN层7a和第一金属漏电极8a,所述第一p-GaN层7a上表面设有的第一金属栅电极9a； 所述高测区B包括自下而上层叠的第二缓冲层2b、第二沟道层3b和第二势垒层5b，所述第二沟道层3b与第二势垒层5b之间由于极化效应产生具有高电子迁移率的第二异质结沟道4b，所述第二势垒层5b上表面设有的第二金属源电极6b、第二p-GaN层7b和第二金属漏电极8b,所述第二p-GaN层7b上表面设有的第二金属栅电极9b； 所述沟槽区C包括绝缘介质层10和导热介质层11。
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