西安交通大学王玮获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411231160.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法是由王玮;梁月松;林芳;王艳丰;陈根强;牛田林;张明辉;问峰;王宏兴设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氢终端金刚石二维半导体单片集成的互补器件及制备方法。包括金刚石衬底、金刚石外延薄膜、氢终端二维空穴气层、台面隔离区、二维半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅极介质层、第二栅极介质层、第一栅电极和第二栅电极。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型二维半导体结合在一起制备金刚石基半导体互补器件，实现在金刚石上的单片集成的互补器件，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与二维材料各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS器件。
本发明授权一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氢终端金刚石二维半导体单片集成的互补器件，其特征在于，包括： 金刚石衬底1，其上表面设有金刚石外延薄膜层2，所述金刚石外延薄膜层2的上表面设有氢终端二维空穴气层3，位于所述氢终端二维空穴气层3外侧的所述金刚石外延薄膜层2的上表面还设有台面隔离区4；所述氢终端二维空穴气层3的上表面两端分别设有第二源电极8和第二漏电极9，所述氢终端二维空穴气层3上设有第二栅电极13，第二栅电极13位于所述第二源电极8和第二漏电极9之间； 二维半导体层5，其设置在所述台面隔离区4的上表面，且位于所述氢终端二维空穴气层3的一侧，所述二维半导体层5的上表面两端分别设有第一源电极6和第一漏电极7，位于所述第一源电极6和所述第一漏电极7之间的所述二维半导体层5的上表面设有第一栅电极12； 所述第一漏电极7和第二漏电极9金属互连，所述第一栅电极12和第二栅电极13金属互连，形成互补器件。
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