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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种SiC MOSFET结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050156B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411278696.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种SiC MOSFET结构及其制造方法是由刘启军;宋瓘;罗烨辉;何启鸣;王亚飞;姚尧;李诚瞻;肖强;罗海辉设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiCMOSFET结构及其制造方法，所述SiCMOSFET结构的元胞包括：从下到上依次设置的N+衬底、N‑外延层、P肼区和N+区；延伸到N‑外延层内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部；位于N‑外延层内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区；所述沟槽内表面设置有栅氧层和栅极，所述栅极包括两部分，背离N‑外延层方向的栅极部分的宽度大于靠近N‑外延层方向的栅极部分的宽度；所述栅氧层和栅极的上方设置有层间介质；位于沟槽两端且位于N+区的上方设置有源极区；所述层间介质和源极区上方设置有源极；本发明降低栅漏寄生电容CGD，提高开关特性，降低功耗，提高芯片可靠性。

本发明授权一种SiC MOSFET结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET结构，其特征是，所述SiCMOSFET结构的元胞包括： 从下到上依次设置的N+衬底3、N-外延层4、P阱区9和N+区10； 延伸到N-外延层4内的至少1个沟槽，每个沟槽具有相对的侧壁和底部； 位于N-外延层4内的所述沟槽的侧壁和底部具有P+注入区5； 所述沟槽内表面设置有栅氧层6，栅氧层6内设置有栅极7，所述栅极7背离N-外延层4方向的栅极7部分的宽度大于靠近N-外延层4方向的栅极7部分的宽度； 所述栅氧层6和栅极7的上方设置有层间介质12； 位于沟槽两端且位于N+区10的上方设置有源极区11； 所述层间介质12和源极区11上方设置有源极； 所述沟槽的数量大于2个，所述沟槽包括深沟槽和浅沟槽，所述深沟槽的深度大于浅沟槽； 所述浅沟槽内的栅极7的形状为锥状，往N-外延层4方向，栅极7宽度逐渐降低；还包括位于栅极7内部的肖特基结8，所述肖特基结8贯穿P+注入区5，进入N-外延层4内，所述肖特基结8与栅极7、栅氧层6通过层间介质隔开；或者， 所述浅沟槽内的栅极7的形状为柱状，还包括位于浅沟槽内的栅极7内部的肖特基结8，所述肖特基结8贯穿P+注入区5，进入N-外延层4内，所述肖特基结8与栅极7、栅氧层6通过层间介质隔开。

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