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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种波导耦合光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008758B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411103522.4，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种波导耦合光电探测器及其制备方法是由薛春来;王丽智;丛慧;徐驰设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波导耦合光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种波导耦合光电探测器，包括：SOI衬底、空心的二氧化硅模板腔、Ge1‑xSnx吸收区和电极；SOI衬底包括依次连接的硅衬底层和埋氧化层，埋氧化层上设置依次连接的条形波导、taper结构和顶部硅层；空心的二氧化硅模板腔设置在SOI衬底的顶部硅层上方，二氧化硅模板腔的底部二氧化硅层设置窗口以使部分顶部硅层得到暴露；Ge1‑xSnx吸收区设置在空心的二氧化硅模板腔内；电极设置在空心的二氧化硅模板腔上方与Ge1‑xSnx吸收区电连接。本发明的波导耦合光电探测器，光信号耦合进入探测器后不经过硅锗异质界面，降低了锗硅界面缺陷与位错对光信号的损耗与衰减，提高了器件的性能。

本发明授权一种波导耦合光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波导耦合光电探测器，其特征在于，包括：SOI衬底、空心的二氧化硅模板腔、Ge1-xSnx吸收区和电极； 所述SOI衬底包括依次连接的硅衬底层和埋氧化层，所述埋氧化层上设置依次连接的条形波导、taper结构和顶部硅层，所述条形波导和taper结构与所述Ge1-xSnx吸收区在沿光传播方向位于同一中心； 所述空心的二氧化硅模板腔设置在所述SOI衬底的顶部硅层上方，所述二氧化硅模板腔的底部二氧化硅层设置底部窗口以使部分所述SOI衬底的顶部硅层暴露，所述二氧化硅模板腔的顶部二氧化硅层设置电极孔； 所述Ge1-xSnx吸收区设置在所述空心的二氧化硅模板腔内，所述Ge1-xSnx吸收区包括依次连接的锗缓冲层和Ge1-xSnx吸收层，所述锗缓冲层沿垂直于所述顶部硅层方向设置在所述空心的二氧化硅模板腔底部窗口与顶部之间的腔体内；所述Ge1-xSnx吸收层包括依次连接的P型掺杂层、本征层和N型掺杂层，所述P型掺杂层与所述锗缓冲层连接，其中，0≤x1； 所述电极设置在所述空心的二氧化硅模板腔上方，通过所述空心的二氧化硅模板腔顶部的电极孔与所述Ge1-xSnx吸收区电连接。

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