中国科学院化学研究所郭玉国获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利一类界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410926326.0，技术领域涉及：H01M4/525；该发明授权一类界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用是由郭玉国;金若溪;郭玉洁;万立骏设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一类界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用，正极材料的化学式表达为NaNixFeyMnzAaBbCcDdO2，其中x+y+z+a+b+c+d＝1，a+b+c+d≤0.1，且a＞0、b＞0、c＞0，d≥0，其中，A为Y、Zr、Nb中的至少一种，B为镧系元素或者Ta、W中的至少一种，C、D为第四五周期过渡金属元素中的至少一种。所述正极材料的制备方法过程简单，适宜规模化生产。本发明通过调节掺杂源的加入顺序，利用了第四五周期过渡金属元素倾向于表面偏析的特点，通过痕量多元素掺杂构筑了界面高熵尖晶石结构，并且各掺杂元素分布均匀，增强材料的界面结构稳定性，有效地提高材料的循环性能。
本发明授权一类界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料，其特征在于，化学式表达为NaNixFeyMnzAaBbCcDdO2，其中x+y+z+a+b+c+d=1，a+b+c+d≤0.1，且a＞0、b＞0、c＞0，d＞0，其中，A为Y、Zr、Nb中的至少一种，B为镧系元素或者Ta、W中的至少一种，C、D为第四五周期过渡金属元素中的至少一种； 所述界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1将钠源、镍源、铁源、锰源、元素A源投料，混合均匀，得混合物I； S2混合物I在400-600℃进行第一次煅烧，降温后，加入元素B，C源，混合均匀，得到混合物Ⅱ；降温后，除元素B，C源，还加入元素D源； S3混合物Ⅱ在800-1200℃进行第二次煅烧，冷却后得到界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料。
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