西安交通大学杨书桂获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118878859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410909097.1，技术领域涉及：C08J3/00；该发明授权一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法与应用是由杨书桂;张正阳;张亮青设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法及其应用。该制备方法通过将聚偏氟乙烯颗粒原料置于模具中，先升温至熔点以上并维持以消除热历史，再降温至成型温度150℃~260℃，施加50MPa~600MPa的压力后立即施加以上的剪切流动场，施加剪切流动场10s以上，随后恒压降温至样品结晶完成，待温度降低至室温后卸压，获得含有高结晶度取向极性晶相的聚偏氟乙烯样品。通过本方法制得的聚偏氟乙烯制品，极性晶相结晶度高达63%，且呈现良好取向，结晶形态为shish‑kebab结构，相关聚偏氟乙烯样品表现出优异的压电性能。本发明提供的该PVDF高结晶度取向极性晶相的制备方法，有助于推动PVDF制品在压电式柔性传感器领域的应用。
本发明授权一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相的制备方法，其特征在于，具体步骤如下： S1，将聚偏氟乙烯原料加入到模具中； S2，将填装有聚偏氟乙烯原料的模具升温至聚偏氟乙烯熔点以上并维持，随后调节熔融态聚偏氟乙烯原料的温度至150℃~260℃； S3，向模具中的聚偏氟乙烯施加压力至50MPa~600MPa，随后立即对聚偏氟乙烯施加剪切流动场进行取向后，在该压力下对聚偏氟乙烯降温，待温度降至室温后卸掉压力，获得所述聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相样品，其中，施加剪切流动场的剪切速率为以上，剪切流动场施加时间为10s以上； 所述聚偏氟乙烯高结晶度取向极性晶相样品的晶相包含β和γ相，并具有shish-kebab结构。
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