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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410848778.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法是由张苇杭;余龙;樊昱彤;刘茜;冯欣;吴银河;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至开口中，与n‑‑GaN漂移层接触；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置；钝化层，覆盖在阳极、p‑GaN层、i‑GaN层、AlGaN层、n‑‑GaN漂移层和阴极暴露的表面，钝化层包括第一开口和第二开口，第一开口暴露出所述阳极，第二开口暴露出阴极。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。

本发明授权一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+-GaN层、n--GaN漂移层、AlGaN层、i-GaN层和p-GaN层；其中， 所述i-GaN层和p-GaN层组成的层叠结构与所述AlGaN层极化产生二维空穴气，层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层包括多个开口；沿垂直于所述衬底的方向，层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层的正投影包括多个第一区域，所述开口的正投影位于相邻所述第一区域之间； 阳极，位于层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层上、并延伸至所述开口中，与所述n--GaN漂移层接触； 阴极，位于所述n+-GaN层上、且与所述n--GaN漂移层间隔设置； 钝化层，覆盖在所述阳极、所述p-GaN层、所述i-GaN层、所述AlGaN层、所述n--GaN漂移层和所述阴极暴露的表面，所述钝化层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述阳极，所述第二开口暴露出所述阴极。

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